韓國海力士半導體(HynixSemiconductor)公布了2010年第一季度(2010年1~3月)的合并結算結果。據(jù)稱,由于DRAM市場走勢堅挺,其銷售額創(chuàng)單季度歷史紀錄。發(fā)布資料顯示,海力士2010年Q1的銷售額為同比(以下簡稱YoY)
以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(HynixSemiconductorInc.)22日公布,一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。然而,海力士半導體公司在一份聲明中稱,一
VLSI認為由于市場需求上升,而提升今年的IC預測,但是公司也表示已經(jīng)看到一些需要重視的問題。VLSI的總裁DanHutcheson說,盡管提升今年IC預測,但是非??赡苁袌黾航?jīng)出現(xiàn)過熱的跡象。VLSI認為與2009年相比今年全球IC銷售
VLSI認為由于市場需求上升,而提升今年的IC預測, 但是公司也表示已經(jīng)看到一些需要重視的問題。VLSI的總裁Dan Hutcheson說,盡管提升今年IC預測,但是非??赡苁袌黾航?jīng)出現(xiàn)過熱的跡象。VLSI認為與2009年相比今年全球IC銷
據(jù)iSuppli公司,最近DRAM供應商爾必達和美光的收購行動,突顯供應商越來越重視打造完整的內存產品組合,以面向快速增長的智能手機市場。如圖所示,未來幾年智能手機使用的DRAM平均數(shù)量將增長九倍以上,到2014年將從2
4月上旬NANDFlash合約價開始小漲,16Gb容量報價上漲2~7%,其次是32Gb容量芯片報價上漲3~4%。近期NANDFlash市場再度受到蘋果(Apple)iPad正式開賣,外界再度燃起了興趣,但消費者反應iPad不能無線上網(wǎng)、散熱不佳的問題
市場研究機構Web-FeetResearch公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜,三星電子(SamsungElectronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置,其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼,領先美光(Micron)、海力士(Hyni
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)
多家封測業(yè)3月營收陸續(xù)出爐,受惠于市況淡季不淡,封測業(yè)營收表現(xiàn)普遍優(yōu)于預期,月增率普遍2位數(shù)幅度。其中日月光、硅格和頎邦等單月營收皆創(chuàng)下歷史新高紀錄;而硅品3月營收雖然回升,但受到喪失搶單先機的影響,首季
嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用
東芝正式宣布將開始建設之前延期的NAND型閃存量產線。預定于2010年7月開始建設四日市工廠的第五生產車間(Fab5),2011年春季竣工,最早將在2011年夏季投產?,F(xiàn)在,作為NAND量產線東芝已啟動了四日市工廠的第四生產車
在半導體內存行業(yè),美國美光科技(MicronTechnology)的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND閃存外,該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP(Multi-chipPacka
DRAM龍頭大廠三星半導體24日下午生產線意外跳電,旗下位于企興(Kiheung)的12吋廠與8吋廠,分別負責生產NANDFlash、利基型DRAM產線跳電長達30分鐘至40分鐘,由于情形不明,廠商相繼縮手,同步停止DRAM、NANDFlash報
研究機構集邦科技表示,3月上旬主流MLC NAND Flash合約價下跌約1%~7%,但隨著Apple宣布iPad將于4月3日上市后,目前NAND Flash相關業(yè)者期待iPad在第二季的后續(xù)銷售狀況及營運模式,能否為NAND Flash市場帶來更多的需求
SanDisk(閃迪)推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅動器(Embedded Flash Drives, EFD),支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅動器基于3-bit-per-cell (X3) NAND閃存技術,在單一組件中提供最高達64GB1的容量,
芯片龍頭英特爾(Intel)的NAND閃存事業(yè)群新主管透露,該公司立志成為固態(tài)儲存(SSD)領域的一哥,但令人驚訝的是,他們沒興趣在NAND市場稱王。 英特爾并不想步上三星(Samsung)、海力士(Hynix)與東芝(Toshiba)等NAND供貨
據(jù)臺灣媒體報道,NAND快閃存儲器大廠東芝3日下午宣布,將關閉位于日本福岡縣宮若市的封測廠(TPACS),今年中旬時該廠就將關閉,技術研發(fā)及設備等生產線,將移轉到東芝NAND晶圓廠大本營的日本三重縣四日市工廠內,預計
據(jù)日本經(jīng)濟新聞報導,東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。即將關閉的工廠隸屬于ToshibaLSIPackageSolutionCorp,位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被
2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預期強勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響,而