Nand

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CES 2011：美光推出采用25mm NAND的RealSSD C400

不讓Intel專美于前，內(nèi)存大廠美光也趁CES期間進(jìn)行火力展示，推出這款業(yè)界第一個采用25nm制程N(yùn)AND構(gòu)成的RealSSDC400，這個產(chǎn)品線提供1.8?與2.5?兩種選擇，容量從64GB到512GB，讀取速度最高可達(dá)415MBps，寫入速度則因型

消費(fèi)電子
2011-01-07

NAND SSD 美光 CE
房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營收創(chuàng)新高

李洵穎／臺北 2大封測廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營收，皆創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。日月光單月集團(tuán)營收在房地產(chǎn)銷售收入挹注下，實(shí)績月增率達(dá)16%，惟封測業(yè)務(wù)營收則與上月相當(dāng)；力成則以0.12%些微差距刷新單月歷

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2011-01-07

DRAM Flash MOBILE NAND
英特爾亞太NAND Flash操盤手變更調(diào)整

英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操

消費(fèi)電子
2011-01-04

英特爾 Flash NAND 美光
英特爾亞太NAND Flash操盤手換將存儲器廠嘩然

英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤

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2010-12-31

存儲器英特爾 Flash NAND
2011年平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求

集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash

智能硬件
2010-12-23

平板計(jì)算機(jī) Flash NAND
2011年平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求

2011年平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求

嵌入式軟件
2010-12-20

平板計(jì)算機(jī) Flash NAND
美光新加坡廠明年投產(chǎn)　NAND Flash卡位戰(zhàn)再起

美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電

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2010-12-17

Flash 新加坡 NAND 美光
突破技術(shù)藩籬臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出

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2010-12-16

存儲器 Flash RAM NAND
臺灣插足快閃存儲器產(chǎn)業(yè)

全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器

消費(fèi)電子
2010-12-16

存儲器 Flash RAM NAND
突破技術(shù)藩籬臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研

智能硬件
2010-12-16

存儲器 Flash RAM NAND
東芝日本廠跳電受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示，這次的

半導(dǎo)體
2010-12-14

存儲器東芝斷電 NAND
東芝日本廠跳電　受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。東芝表示，這次

半導(dǎo)體
2010-12-13

存儲器東芝斷電 NAND
Intel-鎂光公布25nm NAND細(xì)節(jié) 采用Airgap技術(shù)

在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap（空氣隙型介電層）技術(shù)商用化的產(chǎn)品。當(dāng)初IBM用來解釋Airg

智能硬件
2010-12-08

Intel 鎂光 AIR NAND
美光發(fā)布25nm閃存芯片ClearNAND

正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當(dāng)前的閃存市場處于更加有利的地位。這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個版本，標(biāo)準(zhǔn)版的

智能硬件
2010-12-07

閃存芯片 LEARN NAND 美光
Intel、三星、東芝攜手，打算在2016年邁進(jìn)10nm制程

在日本官方組織經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的贊助下，Intel以及分屬全球NAND產(chǎn)量第一與第二大的三星以及東芝（還有一些與半導(dǎo)體相關(guān)的日商），開始著手針對半導(dǎo)體制程合作；這項(xiàng)總支出達(dá)100億日圓的合作案，有一半是由經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省埋單

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2010-12-03

三星 Intel 東芝 NAND
應(yīng)用材料：2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長

針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。

智能硬件
2010-12-03

DRAM Flash NAND CE
朝鮮半島交鋒　臺DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖

南朝鮮軍事緊張情勢再度升高，由于韓國是全球存儲器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過60%市占率，NAND Flash則合計(jì)有超過50%市占，加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被

智能硬件
2010-11-25

DRAM Flash 海力士 NAND
多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)

多芯片封裝(MCP)解決方案供貨商科統(tǒng)成立于2000年9月，目前股本為5.57億元，主要股東包括聯(lián)電集團(tuán)、硅統(tǒng)科技及聯(lián)陽半導(dǎo)體等，目前產(chǎn)品線除了MCP解決方案之外，還包括隨身碟、快閃記憶卡、固態(tài)硬盤(SSD)等，2010年第1季

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2010-11-25

芯片封裝 Flash MCP NAND
東芝為提高獲利有意關(guān)閉芯片廠

日廠東芝(Toshiba)計(jì)劃于2010年內(nèi)關(guān)閉旗下4座NAND Flash廠中的1座舊世代廠房，以利將資源集中于2011年即將投產(chǎn)的新廠房。此外，東芝亦擬自2011年起將系統(tǒng)芯片生產(chǎn)委外，以提振獲利。負(fù)責(zé)東芝半導(dǎo)體事業(yè)的子公司Semi

消費(fèi)電子
2010-11-22

芯片廠東芝 Flash NAND
相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

嵌入式教程
2010-11-17

DRAM 存儲器 PCM NAND

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英特爾亞太NAND Flash操盤手變更調(diào)整

英特爾亞太NAND Flash操盤手換將存儲器廠嘩然

2011年平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求

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突破技術(shù)藩籬臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

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