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日本再震 中小尺寸面板擴大釋單臺灣工廠
日本二度發(fā)生強震，中小尺寸面板與存儲器產(chǎn)業(yè)鏈都將繼續(xù)有短期轉(zhuǎn)單效應(yīng)，為奇美電、群聯(lián)、旺宏、力成等業(yè)者淡季營運添柴火。日立顯示器公司宣布因工廠位于限電區(qū)，工廠生產(chǎn)受到影響，將把更多智能型手機使用的小尺寸
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三星與海力士紛紛提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bi
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三星與海力士紛紛提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產(chǎn)量。據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(
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移動設(shè)備應(yīng)用擴大NAND Flash投資
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bi
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移動設(shè)備應(yīng)用增 三星、海力士擴大NAND Flash投資
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產(chǎn)量。據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(BitGrowt
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力成 首季財報激勵 突破反壓
力成（6239）首季財報繳出亮麗成績單，本季營收可望持續(xù)成長，激勵力成上周五股以漲停板104元作收，股價突破所有短中長期均線反壓，投信、外資分別回補持股。 力成上周召開法說會，董事長蔡篤恭對第2季營運展望樂
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
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美光：內(nèi)存廠要DRAM、NAND Flash雙棲 否則存活不易
美光(Micron)企業(yè)發(fā)展副總裁MichaelSadler表示，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)正從谷底復(fù)蘇，最壞情況已過，未來DRAM產(chǎn)業(yè)將處于供給平衡狀態(tài)，NANDFlash產(chǎn)業(yè)則會供不應(yīng)求，且在平板計算機(TabletPC)、固態(tài)硬盤(SSD)等應(yīng)用對于NANDFlash芯
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美光：不排除授權(quán)華亞科代工NAND Flash
由于智能型手機等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能
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力晶沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，估年底占產(chǎn)能逾半
力晶(5346)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM未來將轉(zhuǎn)為爾必達代工生產(chǎn)，在自身的產(chǎn)能調(diào)配上將更加靈活，力晶發(fā)言人譚仲民說，接下來將全力沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)估今年底將占超過一半產(chǎn)能，另外，由于公司矽晶圓的料源供應(yīng)相當(dāng)分散，其中一
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東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND
東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出
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NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析
NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析
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Intel與美光將NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm，不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里，而果不其然，它們又再度攜手，將技術(shù)推至20nm，并且打造出僅118mm平方大小的8GBMLC Flash，比
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英特爾美光合約結(jié)束 IM新加坡廠動向成關(guān)鍵
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Tech
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英特爾美光推20納米級NAND芯片 下半年量產(chǎn)
據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光周四推出一種新型閃存存儲制造技術(shù)，這一技術(shù)使電子存儲芯片設(shè)計更加密集化，有利于縮小產(chǎn)品占據(jù)的空間。此款20納米級的 NAND芯片產(chǎn)品估計可在今年下半年大量生產(chǎn)。英特爾和美光曾經(jīng)合
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Intel與美光將NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel與美光的NAND合資的IMFT公司邁入25nm，不過一向崇尚摩爾定律的半導(dǎo)體業(yè)界又怎可能把技術(shù)卡在這里，而果不其然，它們又再度攜手，將技術(shù)推至20nm，并且打造出僅118mm平方大小的8GB MLC Flash，比起25nm更
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英特爾、美光合約將盡 IM新加坡廠動向成關(guān)鍵
英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Tec
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支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計
摘要：先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進行了說明，并提出了一種解決方
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日本地震將推高2011年全球芯片營收50億美元
研究機構(gòu)IHSiSuppli周三稱,今年全球半導(dǎo)體銷售可能上升7%至3,252億美元,因上個月發(fā)生的日本地震提振電腦存儲芯片價格.該公司2月時的預(yù)估為成長5.8%至3,201億美元.iSuppli預(yù)計,動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)受到的影響將最
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存儲器模塊業(yè)淘汰賽再起 臺美聯(lián)手擊退日系陣營
日本老牌存儲器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時，成立時間也超過30 年，與NAND Flash大廠東芝(T
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