力晶(5346)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM未來將轉(zhuǎn)為爾必達(dá)代工生產(chǎn)，在自身的產(chǎn)能調(diào)配上將更加靈活，力晶發(fā)言人譚仲民說，接下來將全力沖刺晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)估今年底將占超過一半產(chǎn)能，另外，由于公司矽晶圓的料源供應(yīng)相當(dāng)分散，其中一半為非日系廠商提供，因此沒有缺料疑慮。

譚仲民指出，現(xiàn)階段產(chǎn)能滿載，其中晶圓代工的需求不斷增溫，下半年明顯放大的產(chǎn)品包括影像感測器(CMOS image sensor)、NOR Flash等，另外，LCD驅(qū)動IC、高壓電源管理IC的需求也不弱。至于利基型DRAM的代工業(yè)務(wù)則多少受到產(chǎn)能排擠效應(yīng)，也造成近期市場出現(xiàn)缺貨。

譚仲民預(yù)估，到今年底，晶圓代工占12寸廠的產(chǎn)能將超過一半，即逾6萬片，較去年第四季比重僅不到10%相比，呈現(xiàn)大幅躍進(jìn)走勢；而公司目前為市場唯一以12寸廠代工生產(chǎn)LCD驅(qū)動IC、電源管理IC、影像感測器的晶圓代工廠，具有成本優(yōu)勢，并不與臺積電(2330)等一線晶圓代工廠競爭。

在NAND Flash的部分，譚仲民表示，公司自行研發(fā)的NAND Flash也是發(fā)展的重點(diǎn)產(chǎn)品之一，目前量產(chǎn)制程為50奈米，產(chǎn)品以銷售大陸市場為主，而40奈米正在進(jìn)入試產(chǎn)認(rèn)證階段，而20奈米的部分也正在開發(fā)。

另外，市場關(guān)心DRAM記憶體產(chǎn)業(yè)的市況與矽晶圓缺料的問題，譚仲民表示，第二季DRAM市況優(yōu)于第一季，價格也穩(wěn)健上揚(yáng)，接下來的發(fā)展也以樂觀看待，會越來越好。

關(guān)于矽晶圓供應(yīng)的情況，譚仲民說，目前公司本身在矽晶圓的庫存水位與日本311東北強(qiáng)震前一樣，并沒有受到影響，主要因?yàn)榱显捶稚⒃?家供應(yīng)商，其中2家是非日系的廠商，并無缺料的疑慮。

全球DRAM廠今年第一季仍飽受跌價沖擊，呈現(xiàn)賺少賠多局面，其中力晶今年第一季稅后虧損49.64億元，EPS-0.9元，不過其中晶圓代工業(yè)務(wù)則是呈現(xiàn)獲利，因此法人認(rèn)為，隨著記憶體市況好轉(zhuǎn)，價格溫和上揚(yáng)，力晶第二季將有機(jī)會達(dá)到損益兩平。