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2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件

2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件

嵌入式軟件
2012-03-14

半導(dǎo)體器件智能手機(jī) NAND Flash
蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前

消費(fèi)電子
2012-03-13

三星蘋果海力士 NAND
蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約

模擬
2012-03-12

三星蘋果海力士 NAND
利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

嵌入式軟件
2012-03-10

嵌入式系統(tǒng) BSP NAND Flash
利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

嵌入式教程
2012-03-10

嵌入式系統(tǒng) BSP NAND Flash
DRAMeXchange: DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)六大趨勢(shì)預(yù)測(cè)

北京時(shí)間3月7日消息，根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的分析部門DRAMeXchange的研究，針對(duì)對(duì)DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)久觀察下，提出了對(duì)2012-2015年間產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六大趨勢(shì)預(yù)測(cè)：趨勢(shì)一、PC-DRAM現(xiàn)階段主流規(guī)格DDR3將主

消費(fèi)電子
2012-03-09

DRAM EXCHANGE NAND Flash
2月下旬主流NAND Flash均價(jià)下跌5-10%

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查指出，因中國(guó)農(nóng)歷年假期的銷售狀況，不如一些下游客戶原先的預(yù)期，故在農(nóng)歷年長(zhǎng)假過(guò)后，下游客戶的庫(kù)存回補(bǔ)意愿普遍不高，部分記憶卡及UFD業(yè)者也敦促NAND Fl

消費(fèi)電子
2012-03-08

DRAM IC NAND Flash
基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來(lái)完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)壞塊的檢測(cè)處理等關(guān)鍵問(wèn)題提出了

智能硬件
2012-03-07

存儲(chǔ)系統(tǒng) BSP NAND Flash
基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來(lái)完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)壞塊的檢測(cè)處理等關(guān)鍵問(wèn)題提出了

數(shù)字電源
2012-03-05

存儲(chǔ)系統(tǒng) BSP NAND Flash
延宕5年后泰國(guó)3G牌照終將于三季度拍賣

“移動(dòng)世界亞洲峰會(huì)”日前在上海舉行，記者從會(huì)上獲悉，在一再延宕之后，泰國(guó)將在今年3季度拍賣3G牌照。Thitipong Nandhabiwat是泰國(guó)國(guó)家廣播與電信管理委員會(huì)（NBTC）的助理副主席，他在峰會(huì)上透露了這條

通信技術(shù)
2012-02-27

3G NAND
臺(tái)美日整合DRAM、NAND Flash資源　可望組抗韓部隊(duì)

美系記憶體大廠美光(Micron)拿下華亞科主導(dǎo)權(quán)后，正式擴(kuò)大美系陣營(yíng)的勢(shì)力，華亞科總經(jīng)理高啟全表示，此舉有利于臺(tái)美日DRAM產(chǎn)業(yè)大整并，3方可整合DRAM及NANDFlash資源和技術(shù)，朝整合性產(chǎn)品發(fā)展，DRAM廠不能再像爾必達(dá)

模擬
2012-02-23

DRAM 爾必達(dá) NAND Flash
延遲和錯(cuò)誤率令固態(tài)硬盤前景蒙上陰影

加州大學(xué)和微軟的研究發(fā)現(xiàn)，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會(huì)出現(xiàn)顯著的性能退化。當(dāng)電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會(huì)增加一倍。加州大學(xué)的研究生Laura Grupp說(shuō)，他們測(cè)試了7家SSD供應(yīng)商的45種不同

智能硬件
2012-02-22

固態(tài)硬盤存儲(chǔ)單元 5NM NAND
延遲和錯(cuò)誤率令SSD前景蒙上陰影

延遲和錯(cuò)誤率令SSD前景蒙上陰影

嵌入式動(dòng)態(tài)
2012-02-19

固態(tài)硬盤存儲(chǔ)單元 SSD NAND
基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)

數(shù)字電源
2012-02-16

存儲(chǔ)管理 TMS320F28 NAND Flash
基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

嵌入式教程
2012-02-16

存儲(chǔ)管理 TMS320F28 NAND Flash
Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2

消費(fèi)電子
2012-02-07

DRAM 內(nèi)存 NI NAND
Shentel與Sprint達(dá)成LTE網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)張協(xié)議阿朗提供支持

2月6日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)Shentel(Shenandoah Telecommunications Company)今日宣布，公司已與Sprint Nextel達(dá)成合作協(xié)議，將在公司服務(wù)區(qū)域內(nèi)提供4G LTE網(wǎng)絡(luò)服務(wù)。根據(jù)協(xié)議，Shentel將在服務(wù)區(qū)域內(nèi)提供Spri

通信技術(shù)
2012-02-06

4G SPRINT LTE網(wǎng)絡(luò) NAND
NAND Flash品牌廠商2011年第四季營(yíng)收排行分析

根據(jù)集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，2011年第四季NAND Flash市場(chǎng)在歐洲主權(quán)債券風(fēng)暴持續(xù)發(fā)酵，為全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶來(lái)了不確定的陰影籠罩下，使得市場(chǎng)對(duì)傳統(tǒng)第四季旺季產(chǎn)生了旺季不旺的預(yù)期心理

消費(fèi)電子
2012-02-06

三星 NI NAND Flash
2012~2013年NAND Flash主流容量將為64Gb

全球NAND Flash產(chǎn)品市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)況與預(yù)測(cè)根據(jù)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院，從NAND Flash產(chǎn)品容量來(lái)看，2011年32Gb的出貨量仍高于64Gb，2012年64Gb的出貨量才超過(guò)32Gb，預(yù)估2012年~2013年的主流容量為64Gb。預(yù)估2014年~2015年的

消費(fèi)電子
2012-01-30

4G GB NAND Flash
測(cè)試顯示英特爾新款手機(jī)平臺(tái)性能超iPhone 4S

英特爾的新款手機(jī)芯片在許多方面都讓人感到意外，但最大的意外是其速度。評(píng)測(cè)網(wǎng)站Anandtech稱，英特爾在國(guó)際消費(fèi)電子展上公布的代號(hào)為Medfield的凌動(dòng)Z2460芯片，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)部分市場(chǎng)上最快的手機(jī)。如果配置英特爾芯片的

消費(fèi)電子
2012-01-17

iPhone 英特爾手機(jī)平臺(tái) NAND

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Nand

2012年最值得關(guān)注的五類半導(dǎo)體器件

蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

DRAMeXchange: DRAM與NAND Flash產(chǎn)業(yè)六大趨勢(shì)預(yù)測(cè)

2月下旬主流NAND Flash均價(jià)下跌5-10%

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

延宕5年后泰國(guó)3G牌照終將于三季度拍賣

臺(tái)美日整合DRAM、NAND Flash資源　可望組抗韓部隊(duì)

延遲和錯(cuò)誤率令固態(tài)硬盤前景蒙上陰影

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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

Shentel與Sprint達(dá)成LTE網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)張協(xié)議阿朗提供支持

NAND Flash品牌廠商2011年第四季營(yíng)收排行分析

2012~2013年NAND Flash主流容量將為64Gb

測(cè)試顯示英特爾新款手機(jī)平臺(tái)性能超iPhone 4S

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