[導讀]由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產量。據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(BitGrowt
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(TabletPC)需求暴增，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年雙雙提升NANDFlash芯片產量。
據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(BitGrowth)各評估為80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成長率各為60%以上及40%中段，因而相對增加快閃存儲器出貨量比重。
三星將會先在京畿道華城的存儲器芯片新工廠16產在線生產NANDFlash。該廠將于2011年下半首次投入量產。
三星若決定將16產線挪用為生產NANDFlash用途，三星將有華城12產線、器興14產線、美國奧斯汀廠等共4座NANDFlash廠。三星4月29日發(fā)布第1季財報時曾表示，有可能以存儲器芯片為中心，擴大2011年投資額。三星若增加對存儲器芯片投資，增加投資的金額可能大部分將運用在NANDFlash上。
海力士2011年投資額為3.4兆韓元，大部分將使用在位于忠清北道清州M11NANDFlash廠。海力士4月28日法說會中表示，M11工廠2011年第1季末每月產量10萬片，NANDFlash產量較當初計劃的成長速度還快。
海力士原先計劃年底前將M11廠的產量提升至每月10萬片，海力士在第1季即已達到年度目標。海力士2011年下半將根據市場情況，將M11工廠最大產量提升至每月12萬片。
韓國業(yè)界表示，主要需求NANDFlash的智能型手機和平板計算機市場2011年大展鴻圖，以NANDFlash為基礎的計算機儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場也將于2011年展開，目前市場環(huán)境已逐漸成形，即使NANDFlash產量增加，市場也能吸收。
據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NANDFlash位元成長率(BitGrowth)各評估為80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成長率各為60%以上及40%中段，因而相對增加快閃存儲器出貨量比重。
三星將會先在京畿道華城的存儲器芯片新工廠16產在線生產NANDFlash。該廠將于2011年下半首次投入量產。
三星若決定將16產線挪用為生產NANDFlash用途，三星將有華城12產線、器興14產線、美國奧斯汀廠等共4座NANDFlash廠。三星4月29日發(fā)布第1季財報時曾表示，有可能以存儲器芯片為中心，擴大2011年投資額。三星若增加對存儲器芯片投資，增加投資的金額可能大部分將運用在NANDFlash上。
海力士2011年投資額為3.4兆韓元，大部分將使用在位于忠清北道清州M11NANDFlash廠。海力士4月28日法說會中表示，M11工廠2011年第1季末每月產量10萬片，NANDFlash產量較當初計劃的成長速度還快。
海力士原先計劃年底前將M11廠的產量提升至每月10萬片，海力士在第1季即已達到年度目標。海力士2011年下半將根據市場情況，將M11工廠最大產量提升至每月12萬片。
韓國業(yè)界表示，主要需求NANDFlash的智能型手機和平板計算機市場2011年大展鴻圖，以NANDFlash為基礎的計算機儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場也將于2011年展開，目前市場環(huán)境已逐漸成形，即使NANDFlash產量增加，市場也能吸收。
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