美光新加坡廠明年投產(chǎn) NAND Flash卡位戰(zhàn)再起
[導讀]美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電
美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫，美光表示不擔心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NANDFlash市場供需可維持健康的狀態(tài)。
美光近來年陸續(xù)在34奈米和25奈米技術(shù)世代上，都接連領先三星和東芝，在全球NANDFlash技術(shù)地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠，也使得全球NANDFlash市占率增加，2010年第3季達10%。
展望2011年NANDFlash市場概況，三星和東芝都有擴產(chǎn)的計畫，三星興建的Line-16新廠房預計將以NANDFlash產(chǎn)品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠新帝(SanDisk)合資興建的Fab5，也預計在2011年投產(chǎn)。
面對三星和東芝對于擴產(chǎn)NANDFlash產(chǎn)能來勢洶洶，美光在新加坡的新廠也將于2011年加入投產(chǎn)，預計此廠房的產(chǎn)能規(guī)模約10萬片，預計2011年底前先完成50%機器設備裝置。
面對2011年NANDFlash產(chǎn)能大幅增加，美光表示，其實在終端應用上，也同步在往上，包括平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)、智能型手機等對于NANDFlash需求量都大增，預期2011年的NANDFlash市場供需將是健康穩(wěn)定成長。
再者，美光除了制程技術(shù)持續(xù)領先外，美光在產(chǎn)品技術(shù)上，也一直緊抓市場脈動包括eMMC解決方案之外，也領先推出ClearNAND產(chǎn)品，將ECC除錯機制(ErrorCorrectingCode)功能包裹在芯片之內(nèi)，預計未來可搶占平板計算機商機。
面對NANDFlash技術(shù)在25奈米以下離瓶頸期越來越近，美光也持續(xù)開發(fā)下世代快閃存儲器技術(shù)，在購并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲器(Phase-ChangeMemory；PCM)技術(shù)和專利，美光看好PCM可以取代NANDFlash和DRAM技術(shù)，這會是美光未來布局的重點之一。
再者，美光指出，新存儲器技術(shù)包括CrossPointMemory和3D技術(shù)等，也都是未來布局的一環(huán)。
美光近來年陸續(xù)在34奈米和25奈米技術(shù)世代上，都接連領先三星和東芝，在全球NANDFlash技術(shù)地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠，也使得全球NANDFlash市占率增加，2010年第3季達10%。
展望2011年NANDFlash市場概況，三星和東芝都有擴產(chǎn)的計畫，三星興建的Line-16新廠房預計將以NANDFlash產(chǎn)品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠新帝(SanDisk)合資興建的Fab5，也預計在2011年投產(chǎn)。
面對三星和東芝對于擴產(chǎn)NANDFlash產(chǎn)能來勢洶洶，美光在新加坡的新廠也將于2011年加入投產(chǎn)，預計此廠房的產(chǎn)能規(guī)模約10萬片，預計2011年底前先完成50%機器設備裝置。
面對2011年NANDFlash產(chǎn)能大幅增加，美光表示，其實在終端應用上，也同步在往上，包括平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)、智能型手機等對于NANDFlash需求量都大增，預期2011年的NANDFlash市場供需將是健康穩(wěn)定成長。
再者，美光除了制程技術(shù)持續(xù)領先外，美光在產(chǎn)品技術(shù)上，也一直緊抓市場脈動包括eMMC解決方案之外，也領先推出ClearNAND產(chǎn)品，將ECC除錯機制(ErrorCorrectingCode)功能包裹在芯片之內(nèi)，預計未來可搶占平板計算機商機。
面對NANDFlash技術(shù)在25奈米以下離瓶頸期越來越近，美光也持續(xù)開發(fā)下世代快閃存儲器技術(shù)，在購并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲器(Phase-ChangeMemory；PCM)技術(shù)和專利，美光看好PCM可以取代NANDFlash和DRAM技術(shù)，這會是美光未來布局的重點之一。
再者，美光指出，新存儲器技術(shù)包括CrossPointMemory和3D技術(shù)等，也都是未來布局的一環(huán)。
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