Nand

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

NAND Flash控制芯片低頭

NAND Flash控制芯片市場(chǎng)越來(lái)越艱辛，2008年將破天荒出現(xiàn)第3季度營(yíng)運(yùn)出現(xiàn)衰退窘境！慧榮表示，第2季度出貨量雖突破1億顆，但毛利率首度跌破50％，更下修全年?duì)I運(yùn)目標(biāo)，造成慧榮在美股價(jià)于盤后大跌25％，而純NAND

消費(fèi)電子
2008-08-04

Flash NAND 控制芯片 BSP
NAND Flash控制芯片低頭

NAND Flash控制芯片低頭

嵌入式動(dòng)態(tài)
2008-07-29

Flash NAND 控制芯片 BSP
SanDisk聯(lián)手東芝開(kāi)發(fā)3D存儲(chǔ)芯片欲取代NAND技術(shù)

據(jù)一份提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的文件，為了擴(kuò)大合作，SanDisk與東芝(Toshiba)計(jì)劃合作開(kāi)發(fā)某些類型的可重寫(xiě)3D存儲(chǔ)芯片。由SanDisk提交的這份文檔表示，SanDisk與東芝“將貢獻(xiàn)和交叉授權(quán)與這項(xiàng)3D合

消費(fèi)電子
2008-06-23

東芝存儲(chǔ)芯片 SANDISK NAND
市場(chǎng)不斷下滑東芝計(jì)劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)

在NAND閃存市場(chǎng)下滑之際，日本東芝(Toshiba)將小幅縮減NAND閃存產(chǎn)量。為此，該公司計(jì)劃停止FlashVision Ltd.的NAND生產(chǎn)。這是東芝與SanDisk公司之間的合資企業(yè)，位于它在日本四日市的工廠。FlashVision負(fù)責(zé)東芝的

消費(fèi)電子
2008-06-20

東芝 Flash NAND BSP
市場(chǎng)不斷下滑東芝計(jì)劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)

在NAND閃存市場(chǎng)下滑之際，日本東芝(Toshiba)將小幅縮減NAND閃存產(chǎn)量。為此，該公司計(jì)劃停止FlashVision Ltd.的NAND生產(chǎn)。這是東芝與SanDisk公司之間的合資企業(yè)，位于它在日本四日市的工廠。FlashVision負(fù)責(zé)東芝的

消費(fèi)電子
2008-06-20

東芝 Flash NAND BSP
Intel與美光推出34nm NAND芯片, 引領(lǐng)跨入30nm工藝時(shí)代

Intel和美光(Micron)日前宣布，其合資公司IM Flash Technologies已經(jīng)開(kāi)發(fā)出基于34nm工藝的32Gb MLC NAND閃存單芯片，該器件die面積僅為172mm2，將使用300mm晶圓片制造。Intel和美光計(jì)劃從6月份開(kāi)始提供樣片，量產(chǎn)

消費(fèi)電子
2008-06-07

Intel 芯片美光 NAND
海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或?qū)anDisk不利

韓國(guó)海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開(kāi)發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報(bào)道，海力士在6月4日開(kāi)發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。

消費(fèi)電子
2008-06-07

三星海力士 SANDISK NAND
40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布

40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布，4大陣營(yíng)新世代產(chǎn)線起跑 3Q價(jià)格大戰(zhàn)一觸即發(fā)。

智能硬件
2008-05-27

40納米 Flash NAND BSP
基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒(méi)有集成NAND FLASH的控制器,可以通過(guò)使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)外部NAND FLASH的控制.實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫(xiě)的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對(duì)Memory的要求.

智能硬件
2008-05-21

ARM9 PROCESSOR Flash NAND
NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年　新帝全球裁員約10分之1,上游面臨三星、英特爾勁敵　下游面臨金士頓逼近.

智能硬件
2008-05-13

東芝 Flash NAND BSP
SSD大單花落英特爾服務(wù)器成其新辟疆土

固態(tài)硬盤（SSD）已不再是襁褓中嬰兒，現(xiàn)已擴(kuò)大商機(jī)，被更多的領(lǐng)域應(yīng)用。先前被廣泛應(yīng)用到低價(jià)計(jì)算機(jī)的固態(tài)硬盤（SSD），現(xiàn)又被應(yīng)用到服務(wù)器中。據(jù)存儲(chǔ)器業(yè)者稱，英特爾(Intel)日前已接獲Google在服務(wù)器用固態(tài)硬盤（

通信技術(shù)
2008-05-12

英特爾固態(tài)硬盤 SSD NAND

首頁(yè) 上一頁(yè) 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 下一頁(yè) 尾頁(yè)

Nand

NAND Flash控制芯片低頭

NAND Flash控制芯片低頭

SanDisk聯(lián)手東芝開(kāi)發(fā)3D存儲(chǔ)芯片欲取代NAND技術(shù)

市場(chǎng)不斷下滑東芝計(jì)劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)

市場(chǎng)不斷下滑東芝計(jì)劃關(guān)閉200毫米NAND合資企業(yè)

Intel與美光推出34nm NAND芯片, 引領(lǐng)跨入30nm工藝時(shí)代

海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或?qū)anDisk不利

40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布

基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

SSD大單花落英特爾服務(wù)器成其新辟疆土

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻