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海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或?qū)anDisk不利

時間：2008-06-07 06:38:34

關(guān)鍵字： NAND SANDISK 三星海力士

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[導(dǎo)讀] 韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。

韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。

Lazard Capital Markets的分析師Daniel Amir在最近發(fā)表的一份報告中表示：“我們聽說三星將在2008年末開始生產(chǎn)3-bit per cell NAND時感到很意外。”

“直到現(xiàn)在，該技術(shù)一直只有SanDisk與東芝(Toshiba)擁有，”他說，“但是，三星試圖生產(chǎn)3-bit per cell NAND，給SanDisk對于該技術(shù)的IP構(gòu)成挑戰(zhàn)。雖然我們不知道未來情形如何變化，但我們認(rèn)為這可能對SanDisk不利?！?/P>

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