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[導(dǎo)讀] Intel和美光(Micron)日前宣布,其合資公司IM Flash Technologies已經(jīng)開發(fā)出基于34nm工藝的32Gb MLC NAND閃存單芯片,該器件die面積僅為172mm2,將使用300mm晶圓片制造。Intel和美光計劃從6月份開始提供樣片,量產(chǎn)

    Intel和美光(Micron)日前宣布,其合資公司IM Flash Technologies已經(jīng)開發(fā)出基于34nm工藝的32Gb MLC NAND閃存單芯片,該器件die面積僅為172mm2,將使用300mm晶圓片制造。Intel和美光計劃從6月份開始提供樣片,量產(chǎn)則在今年晚些時候。

    “Intel和Micron的進(jìn)步令人吃驚,他們在三年之內(nèi)已經(jīng)追上并超越了其他競爭者,基本上領(lǐng)銜了這場競爭?!笔袌稣{(diào)研機(jī)構(gòu)Objective Analysis分析師Jim Handy表示,“使用該工藝,可以在一片300mm晶圓上切割出400片單芯片,可令32Gb NAND價格低于每顆芯片4美元?!?憑借該產(chǎn)品,IM FLASH成為第一個突破1美元/GB壁壘的公司。

    目前,主流NAND制造商基于50~57nm工藝在300mm晶圓上量產(chǎn)MLC NAND,32Gb MLC NAND閃存的每GB價格在2.5美元左右。IM FLASH成本優(yōu)勢明顯。即使考慮到今年大多數(shù)NAND制造商將導(dǎo)入40~48nm工藝,對應(yīng)價位也不低于$1.75/GB,如果NAND價格能保持在其他競爭者的價位,則IM FLASH將獲得巨大的利潤。

    但是,IM FLASH領(lǐng)先優(yōu)勢依然是脆弱而短暫的。NAND的成本不僅取決于die size,還取決于產(chǎn)能和良率,IM FLASH跳過45nm工藝直接進(jìn)入30nm制程,能否成功導(dǎo)入量產(chǎn)將是非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。此外,競爭對手也都計劃在今年40nm工藝成熟后,于明年跨入30nm工藝時代。

    東芝計劃在Q2/09導(dǎo)入32nm工藝,并正與SanDisk聯(lián)合開發(fā)3bit/單元的MLC技術(shù),利用該技術(shù),可以在不提升制程的條件下,直接提升NAND密度達(dá)50%,從而開發(fā)出高達(dá)48-Gbit的MLC NAND單芯片。此前,東芝與SanDisk已經(jīng)發(fā)表了采用43nm工藝的16Gbit MLC NAND閃存,該器件將于08年Q2量產(chǎn)。目前,東芝新建的用于NAND制造的Fab 4產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到80,000片/月,并計劃于明年將產(chǎn)能提高到210,000片/月,成為全球最大的晶圓廠。

    三星也已經(jīng)于去年底宣布,成功開發(fā)出30nm工藝的64Gb NAND閃存,成為當(dāng)前工藝最為先進(jìn)的NAND閃存?!斑@是當(dāng)前全球最大容量的單一存儲芯片,”三星電子投資關(guān)系部高級經(jīng)理Kwon Hyosun說到。不過,三星表示,這款新型NAND將要到2009年才會開始生產(chǎn)。此外,三星還對其CTF(Charge Trap Flash)技術(shù)寄予厚望,該技術(shù)允許其更容易地將NAND工藝縮小到20nm,可以生產(chǎn)出256Gb的NAND芯片

    “該先進(jìn)工藝將加速計算機(jī)市場對SSD的接受過程?!?Intel 的NAND產(chǎn)品事業(yè)部市場總監(jiān)Pete Hazen表示。IM Flash期望這款NAND可令下游廠商制造出低成本的大容量SSD固態(tài)硬盤,未來1.8寸固態(tài)硬盤容量可達(dá)256GB以上。

    但對于當(dāng)前NAND市場而言,跨入30nm時代并不是一個好消息,受消費疲軟影響,SanDisk已經(jīng)發(fā)表聲明說NAND市場將在整個2008年保持過剩,新工藝的導(dǎo)入無疑使該市場雪上加霜。

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