2021年10月14-15日，第十九屆中國(guó)通信集成電路技術(shù)應(yīng)用研討會(huì)暨青島微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)（CCIC 2021）于青島召開。大會(huì)邀請(qǐng)了多位兩院院士、行業(yè)大咖、科研專家、企業(yè)專家在內(nèi)的重量級(jí)嘉賓出席大會(huì)并做演講報(bào)告。

芯耀輝聯(lián)席CEO余成斌教授作為重要嘉賓，帶來了《后摩爾時(shí)代－國(guó)產(chǎn)IP產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)》主題演講。演講后，余成斌教授接受了芯榜等媒體的采訪。

芯耀輝作為一家IP新銳公司，已具有十幾二十年量產(chǎn)跨工藝、多產(chǎn)品、多應(yīng)用驗(yàn)證的IP和完整的前后端服務(wù)的經(jīng)驗(yàn)和能力。后摩爾時(shí)代：芯片IP將結(jié)合先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝、智能協(xié)同自動(dòng)設(shè)計(jì)，成為撬動(dòng)整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支點(diǎn)。

摩爾定律在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上雖然還在延續(xù)，從7nm、5nm正步入3nm，但從多個(gè)性能指標(biāo)的角度可以看到，天花板正趨向于平緩，單芯片的良率會(huì)隨著die面積的增長(zhǎng)更快的降低，在更先進(jìn)的工藝上，研發(fā)成本和時(shí)間增加巨大。面對(duì)這些產(chǎn)業(yè)的挑戰(zhàn)，目前全球只有Intel、samsung和TSMC還正在致力研發(fā)及生產(chǎn)7nm及以下的工藝。

芯片制程工藝正在進(jìn)入后摩爾時(shí)代。芯耀輝余成斌教授分享后摩爾時(shí)代IP發(fā)展將沿著延續(xù)摩爾、擴(kuò)展摩爾和超越摩爾的三個(gè)方向。

1、延續(xù)摩爾：IP的增速是IC市場(chǎng)增速的2倍，而接口IP市場(chǎng)增速又是整個(gè)IP市場(chǎng)增速的2倍。根據(jù)IPnest數(shù)據(jù)，接口IP過去5年到未來5年的全球年均復(fù)合增長(zhǎng)率16%，而中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)率更遠(yuǎn)超于此。盡管接口IP市場(chǎng)前景廣闊、增長(zhǎng)迅速，但我們國(guó)內(nèi)市場(chǎng)自給率尚不足10%，可見接口IP已成為芯片設(shè)計(jì)上游的核心關(guān)鍵“卡脖子”技術(shù)。從熱門細(xì)分市場(chǎng)也可以看出，5G、汽車電子、IoT、AI、云計(jì)算等領(lǐng)域，都需要多種不同協(xié)議的接口IP。面對(duì)這些客戶，我們必須圍繞他們的需求解決問題，在先進(jìn)工藝建立IP庫(kù)及IP子系統(tǒng)，通過全方位驗(yàn)證，加速SoC開發(fā)，助力SoC量產(chǎn)，為客戶賦能。

2、擴(kuò)展摩爾：Chiplet將是擴(kuò)展摩爾IP的發(fā)展主要技術(shù)，實(shí)際是先進(jìn)封裝技術(shù)+接口IP技術(shù)，可以看到，SoC的成本是最高的，Chiplet將取得在性能、die功耗和成本的平衡。Chiplet需要接口IP也稱為高速D2D連接，串行模式如56G/112G SerDes，并行的連接如HBI和HBM。D2D設(shè)計(jì)更需要更優(yōu)化的SIPI設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，多晶片SIP ESD保護(hù)，PVT檢測(cè)和自動(dòng)調(diào)準(zhǔn)等驗(yàn)證量產(chǎn)解決方案。

3、超越摩爾：IP必須涵蓋更加復(fù)雜的功能子系統(tǒng)、擁有更高的適配性、智能化自動(dòng)化以及高抽象層次和高精度的系統(tǒng)級(jí)模型和自適應(yīng)界面，從而將是新一代EDA＋I(xiàn)P+AI協(xié)同自動(dòng)設(shè)計(jì)的新時(shí)代，這將打破常規(guī)從頂層系統(tǒng)抽象到底層物理實(shí)現(xiàn)方法論的革新，來滿足未來復(fù)雜系統(tǒng)的智能化應(yīng)用、高度異構(gòu)集成芯片高速實(shí)現(xiàn)的需求、打破系統(tǒng)芯片的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工作量巨大，復(fù)雜性高及周期耗時(shí)不斷增長(zhǎng)的瓶頸。這也將是IP發(fā)展超越摩爾打破常規(guī)的方向。

芯耀輝當(dāng)前擁有覆蓋全線高速接口IP，并提供底層制程定制化，集成設(shè)計(jì)自動(dòng)化賦能到系統(tǒng)驗(yàn)證、產(chǎn)品集成等全流程的支持。DDR PHY的開發(fā)面臨著數(shù)據(jù)的串?dāng)_、相位對(duì)齊、信號(hào)采集、時(shí)鐘的架構(gòu)等技術(shù)難點(diǎn)。芯耀輝則從可靠的SI（信號(hào)完整性）和PI（電源完整性）分析、高可靠性訓(xùn)練設(shè)計(jì)、高性能DDR IO設(shè)計(jì)和多頻點(diǎn)快速切換4方面入手，突破了這些技術(shù)瓶頸。

目前，公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在集中力量自主開發(fā)覆蓋14/12納米及以下的先進(jìn)工藝IP，以創(chuàng)新IP技術(shù)賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)。芯耀輝以"經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的自主研發(fā)創(chuàng)新能力+與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者獨(dú)家深度合作加速技術(shù)積累"的雙輪驅(qū)動(dòng)發(fā)展模式，將做面向未來的技術(shù)研發(fā)，從芯片設(shè)計(jì)的源頭為硬科技加速賦能，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開啟創(chuàng)"芯"之路。

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