根據德州公共事業(yè)委員會(PUC)最新研究,經過幾十年的調查,沒有確切證明顯示身體直接接觸低水平RF信號會造成生物效應,也沒有可靠證據顯示高級電表會釋放大量有害輻射。另外,研究中還寫道“智能電表用于測量客
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出汽車級COOLiRFET ® MOSFET系列,為重載應用提供基準導通電阻 (Rds(on)),這些應用包括電動助力轉向
可以使用一個MC14093 CMOS型IC,四2輸入與非施密特觸發(fā)器設計一個非常簡單的脈沖寬度調制電路原理圖電子項目。該脈沖寬度調制電路原理圖電子項目是非常簡單,需要很少的外部電子零件。速度可調0 - MAX。最高轉速的2
1、運放輸出端加一小電阻的作用?答:運放輸出短路的保護方法很簡單,只要用一個小電阻R串接于運放的輸出端,如圖所示,就能防止輸出短路失效。如果這個電阻接到反饋環(huán)路內,如圖中虛線所示,除輸出電壓明顯下降外(負
靳爭團:中興通訊UMTS 網優(yōu)總工 2001 年碩士畢業(yè)于西北工業(yè)大學,8 年WCDMA 無線網絡規(guī)劃和優(yōu)化經驗,參與負責多個大型網規(guī)網優(yōu)項目,曾任香港CSL 項目網絡規(guī)劃和優(yōu)化SME 和PM ,是業(yè)界知名的WCDMA 網規(guī)網優(yōu)專家。Q:
行動裝置輕薄化趨勢當道,各大手機廠對機電系統(tǒng)元件輕量化、小型化的需求,不斷涌現,也進一步促使微機電(MEMS)技術迅速發(fā)展。其中,隨著4G應用頻段的增加、LTE天線空間逐漸縮小,市場對于RF(Radio Frequency;無線射
摘要 數字射頻存儲器是電子戰(zhàn)中較為行之有效的技術手段,它能通過對接收到的敵方信號進行不同的處理以實現時敵方雷達進行相應的干擾。由于雷達信號瞬時帶寬的不斷增大而使器件發(fā)展水平滯后,信道化DRFM技術重要性變得
摘要 介紹了采用DDC和DUC技術實現的大帶寬DRFM及其基本原理,并在Matlab中進行了理論仿真,使用QuartusⅡ完成了對整個系統(tǒng)及內部模塊的建模,最后在Modelsim中進行了整個系統(tǒng)的功能仿真,為今后DRFM技術的研究提供理
射頻微機電(RF MEMS)今年將大舉進駐高階LTE手機。多頻多模4G手機現階段最多須支援十五個以上頻段,引發(fā)內部RF天線尺寸與功耗過大問題;為此,一線手機廠已計劃擴大導入RF MEMS元件,透過天線頻率調整(Antenna Freque
21ic訊 艾法斯控股公司旗下的全資子公司艾法斯公司(Aeroflex Incorporated)日前宣布:該公司已經為其業(yè)界領先的3550手持無線電綜合測試儀添加了對Bird出品的通過式寬帶功率敏感器的支持。本次升級所增加的對包括Bir
日前,艾法斯控股公司(AeroflexHolding Corp)旗下的全資子公司艾法斯公司(Aeroflex Incorporated)宣布:該公司已經為其業(yè)界領先的3550手持無線電綜合測試儀添加了對Bird出品的通過式寬帶功率敏感器的支持。本次升級
艾法斯控股公司(Aeroflex Holding Corp.,紐交所代碼:ARX)旗下的全資子公司艾法斯公司(Aeroflex Incorporated)日前宣布:該公司已經為其業(yè)界領先的3550手持無線電綜合測試儀添加了對Bird出品的通過式寬帶功率敏感器
半導體晶圓代工廠ALTIS宣布與IBM微電子最終達成代工協議。根據該協議的條款,ALTIS將成為IBM180nm SOI技術的代工伙伴;ALTIS將提供高產能,從2013年第二季度開始產能的逐漸增加將確保2014年及以后解決IBM SOI需求。這
半導體晶圓代工廠ALTIS宣布與IBM微電子最終達成代工協議。根據該協議的條款,ALTIS將成為IBM180nm SOI技術的代工伙伴;ALTIS將提供高產能,從2013年第二季度開始產能的逐漸增加將確保2014年及以后解決IBM SOI需求。這
3月26日早間消息(楊笑)目前,廣電行業(yè)正朝著數字廣播和新興移動多媒體平臺方向大規(guī)模推進。廣電運營商們都希望能夠在充分利用現有站點資源和確保原有服務可用性的同時,實現最大程度地優(yōu)化,節(jié)省資本與運營支出,
概覽從波音 747 客機的導航操作、汽車駕駛每天都會使用的 GPS 導航系統(tǒng),到尋寶者要找到深藏于森林某處的寶藏,GPS 技術已經迅速融入于多種應用中。 正當創(chuàng)新技術不斷提升 GPS 接收器效能的同時,相關的技術特性亦越
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴充其通過MIL-PRF-55342認證的E/H系列SMD薄膜電阻,具有每1000小時0.001%的“S”級失效率, 共有12種外形尺寸可供選擇。QPL器件經過認證后的TCR特性為E、
2.3.1升溫方式微量熱計起初的升溫方式微量熱計,熱電堆安放位置和量熱計相同,都在熱敏電阻座的外面,后來的設計做了改進,將它移到與熱敏電阻座緊密連接的波導法蘭盤處。這
2012年,村田制作所收購了芬蘭MEMS制造商VTI,成為發(fā)展其MEMS產品線戰(zhàn)略的重要一步,現今,村田表示將會推出帶有RF技術的MEMS產品。村田汽車電子部副總裁Hannu Laatikainen表示,“村田將汽車、工業(yè)、醫(yī)療中的MEMS應
2012年,村田制作所收購了芬蘭MEMS制造商VTI,成為發(fā)展其MEMS產品線戰(zhàn)略的重要一步,現今,村田表示將會推出帶有RF技術的MEMS產品。村田汽車電子部副總裁Hannu Laatikainen表示,“村田將汽車、工業(yè)、醫(yī)療中的M