SRAM

我要報(bào)錯(cuò)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

40年LED光源發(fā)展歷程譜寫歐司朗“不朽神話”

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊從1990年最初的表面貼裝LED（TOPLED）到2007年由德國(guó)聯(lián)邦總統(tǒng)頒發(fā)的德國(guó)未來獎(jiǎng)以及2011年創(chuàng)下紅色高功率LED能效紀(jì)錄：歐司朗雷根斯堡工廠涉足光電半導(dǎo)體業(yè)務(wù)40年，這為照明，可視化和傳感

顯示光電
2013-09-24

LED光源歐司朗光電 SRAM
LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器用于其業(yè)界首款12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器

21ic訊賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-09-10

總線 LSI SAS SRAM
FPGA技術(shù)的發(fā)展歷史和動(dòng)向

1.1 FPGA技術(shù)的發(fā)展歷史和動(dòng)向1.1.1 FPGA技術(shù)的發(fā)展歷史縱觀數(shù)字集成電路的發(fā)展歷史，經(jīng)歷了從電子管、晶體管、小規(guī)模集成電路到大規(guī)模以及超大規(guī)模集成電路等不同的階段。發(fā)展到現(xiàn)在，主要有3類電子器件：存儲(chǔ)器、

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-15

Altera FPGA芯片 FPGA技術(shù) SRAM
半浮柵晶體管搏動(dòng)整個(gè)電子行業(yè)的“大動(dòng)脈”。

【導(dǎo)讀】如何讓未來的電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品乃至衛(wèi)星通訊的速度更快、功能更強(qiáng)、功耗更小?這一切都離不開集成電路芯片的核心作用。小小芯片可以搏動(dòng)整個(gè)電子行業(yè)的“大動(dòng)脈”。摘要：如何讓未來的電

半導(dǎo)體
2013-08-15

晶體管電子行業(yè) BSP SRAM
東芝微控制器“TMPM36BF10FG”可提供同級(jí)別最大片上SRAM

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)最近推出了一款基于ARM Cortex™-M3內(nèi)核的全新TX03系列微控制器“TMPM36BF10FG”，配備了1M字節(jié)的閃存ROM和258K字節(jié)的SRAM。該產(chǎn)品計(jì)劃于9月份投入量產(chǎn)。特性T

單片機(jī)
2013-07-18

微控制器東芝 TMP SRAM
東芝新款微控制器“TMPM36BF10FG”可提供片上SRAM

21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出一款基于ARM Cortex™-M3內(nèi)核的全新TX03系列微控制器“TMPM36BF10FG”，配備了1M字節(jié)的閃存ROM和258K字節(jié)的SRAM。該產(chǎn)品計(jì)劃于9月份投入量產(chǎn)。背景

單片機(jī)
2013-07-02

微控制器東芝 TMP SRAM
Osram計(jì)劃關(guān)閉Tangerang工廠

Sharp考慮縮小LED照明業(yè)務(wù) Sharp公司考慮縮小LED照明業(yè)務(wù)，以應(yīng)對(duì)來自中國(guó)和韓國(guó)在LED市場(chǎng)上的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。Sharp于2008年進(jìn)軍LED照明領(lǐng)域，在國(guó)內(nèi)擁有領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。但是，來自于LED照明這部分的營(yíng)收，僅占該公司總營(yíng)

顯示光電
2013-05-13

GE OS AN SRAM
ATmega2560外部SRAM擴(kuò)展鍵盤的應(yīng)用設(shè)計(jì)

摘要：文中從應(yīng)用的角度出發(fā)，設(shè)計(jì)了一個(gè)基于ATmega2560微控制器外部SRAM擴(kuò)展鍵盤的應(yīng)用系統(tǒng)。從硬件的原理框圖到軟件都給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：ATmega2560；外部SRAM擴(kuò)展；鍵盤；應(yīng)用設(shè)計(jì) ATmega2560微

工業(yè)控制
2013-04-23

鍵盤應(yīng)用設(shè)計(jì) ATMEGA2560 SRAM
基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)

摘要：交換矩陣是核心路由器的重要組成部分，為了避免來自不同輸入端口的信元同時(shí)發(fā)往同一個(gè)輸出端口，需要在輸入端口設(shè)置緩沖區(qū)，即輸入排隊(duì)交換結(jié)構(gòu)?；陟o態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器完成了交換矩陣輸入端口虛擬輸出隊(duì)列(VOQ)的

通信技術(shù)
2013-04-22

端口矩陣核心路由器 SRAM
一種散列表的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：文章在簡(jiǎn)要介紹散列表工作原理的基礎(chǔ)上，提出了一種分離鏈接散列表的FPGA實(shí)現(xiàn)方案，并對(duì)方案涉及的各功能模塊實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了詳細(xì)闡述。關(guān)鍵詞：散列表；FPGA；Wishbone總線；SRAM 0 引言在軟硬件開發(fā)過

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-18

緩沖區(qū) FPGA設(shè)計(jì) BSP SRAM
GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工藝

GlobalFoundries今天宣布已經(jīng)達(dá)成了3D堆棧芯片歷程上里程碑式的關(guān)鍵一步，在位于美國(guó)紐約州的Fab 8新工廠內(nèi)成功獲得了第一塊結(jié)合了硅穿孔(TSV)技術(shù)的20nm工藝晶圓。硅穿孔(TSV)已經(jīng)提出了很多年，在半導(dǎo)體工

模擬
2013-04-03

芯片 VIA GLOBALFOUNDRIES SRAM
Osram Ostar Stage多芯片LED為舞臺(tái)聚光燈領(lǐng)域新增可調(diào)白光

歐司朗光電半導(dǎo)體最新推出 Osram Ostar Stage LED，照度高達(dá)4800 萬(wàn)坎德拉/平方米（即 48 Mcd/m2），可調(diào)色調(diào)范圍涵蓋冷白到暖白。它采用極其纖薄的設(shè)計(jì)，結(jié)合蓋玻片表面覆蓋的防反射涂層，能夠形成極窄的光束，是緊

顯示光電
2013-04-03

芯片 LED OS SRAM
Xbox 720內(nèi)存架構(gòu)細(xì)節(jié)曝光：ESRAM帶寬102GB/s

之前我們已經(jīng)報(bào)道過Xbox 720(Durango)的CPU和GPU詳情，而現(xiàn)在我們又得到了這款新一代游戲主機(jī)內(nèi)存子系統(tǒng)的一些信息。Xbox 720內(nèi)存子系統(tǒng)的核心是北橋和GPU內(nèi)存。該內(nèi)存系統(tǒng)需要支持多個(gè)組件（比如CPU和

智能硬件
2013-03-20

內(nèi)存帶寬 XBOX SRAM
東芝打造新型智能機(jī)SRAM內(nèi)存，最多可省電85%

內(nèi)存仍然是目前智能手機(jī)身上的耗電大戶：內(nèi)存幾乎一直在使用中，而且即使在移動(dòng)設(shè)備待機(jī)時(shí)也仍然要消耗電能。東芝最新研發(fā)的SRAM可以更好地預(yù)測(cè)內(nèi)存激活時(shí)需要的電量，并且加入一個(gè)更加智能的保持電路

智能硬件
2013-02-28

內(nèi)存東芝智能機(jī) SRAM
東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-02-23

低功耗東芝嵌入式 SRAM
臺(tái)積電談基于FinFET的設(shè)計(jì)方法：鰭片高度偏差對(duì)SRAM影響輕微

在“ISSCC 2013”開幕當(dāng)天即2月17日（美國(guó)時(shí)間）舉行的“Circuit Design using FinFETs”上，臺(tái)積電（TSMC）項(xiàng)目總監(jiān)、首席技術(shù)官許炳堅(jiān)（Bing J. Sheu）發(fā)表演講，介紹了使用FinFET的標(biāo)準(zhǔn)單元、SRAM及模擬電路的設(shè)計(jì)

模擬
2013-02-20

臺(tái)積電電源電壓 FINFET SRAM
STM32別名區(qū)的理解

1. 什么是位段、位帶別名區(qū)?2. 它有什么好處?答1：是這樣的，記得MCS51嗎? MCS51就是有位操作，以一位(BIT)為數(shù)據(jù)對(duì)象的操作，MCS51可以簡(jiǎn)單的將P1口的第2位獨(dú)立操作： P1.2=0;P1.2=1 ; 就是這樣把P1口的第三個(gè)腳(B

單片機(jī)
2013-02-19

STM32 GPIO ADDR SRAM
基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)

0引言隨著光纖通信技術(shù)的飛速發(fā)展，路由器的數(shù)據(jù)處理速度成為網(wǎng)絡(luò)通信的主要瓶頸，交換矩陣作為核心路由器的重要組成部分則嚴(yán)重制約了路由器的傳輸速率。目前核心路由器交換結(jié)構(gòu)使用較多的有共享內(nèi)存和Crossbar兩種。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-02-18

端口矩陣核心路由器 SRAM
LED專利布局戰(zhàn)：5大LED廠合織獨(dú)大專利網(wǎng)

臺(tái)灣工研院光電所經(jīng)理余昱辰今(29)日出席光電大未來研討會(huì)，他表示，全球5大廠Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透過相互授權(quán)，形成獨(dú)大專利網(wǎng)，以達(dá)到主宰市場(chǎng)目的，進(jìn)而控制產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈、價(jià)值鏈，若

顯示光電
2013-02-01

Philips LED OS SRAM
LED引爆全球?qū)＠季?陸、韓廠崛起

日前，工研院電光所經(jīng)理余昱辰指出，全球5大廠Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透過相互授權(quán)，形成LED龐大的專利網(wǎng)絡(luò)，以達(dá)到掌握市場(chǎng)生態(tài)鏈。值得注意的是，日本先前為全球LED專利最大創(chuàng)意國(guó)，但自200

顯示光電
2013-01-30

Philips LED OS SRAM

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SRAM

40年LED光源發(fā)展歷程譜寫歐司朗“不朽神話”

LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器用于其業(yè)界首款12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器

FPGA技術(shù)的發(fā)展歷史和動(dòng)向

半浮柵晶體管搏動(dòng)整個(gè)電子行業(yè)的“大動(dòng)脈”。

東芝微控制器“TMPM36BF10FG”可提供同級(jí)別最大片上SRAM

東芝新款微控制器“TMPM36BF10FG”可提供片上SRAM

Osram計(jì)劃關(guān)閉Tangerang工廠

ATmega2560外部SRAM擴(kuò)展鍵盤的應(yīng)用設(shè)計(jì)

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)

一種散列表的FPGA設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工藝

Osram Ostar Stage多芯片LED為舞臺(tái)聚光燈領(lǐng)域新增可調(diào)白光

Xbox 720內(nèi)存架構(gòu)細(xì)節(jié)曝光：ESRAM帶寬102GB/s

東芝打造新型智能機(jī)SRAM內(nèi)存，最多可省電85%

東芝為嵌入式SRAM開發(fā)低功耗技術(shù)

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STM32別名區(qū)的理解

基于SRAM的核心路由器交換矩陣輸入端口設(shè)計(jì)

LED專利布局戰(zhàn)：5大LED廠合織獨(dú)大專利網(wǎng)

LED引爆全球?qū)＠季?陸、韓廠崛起

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