引言 SRAM有高速和不用刷新等優(yōu)點,被廣泛用于高性能的計算機系統(tǒng)。由于半導體工藝技術(shù)的提高以及存儲系統(tǒng)多方面的需要,存儲器件日益向高速、高集成方向發(fā)展,在使系統(tǒng)功能強大的同時,也增加了系統(tǒng)的復雜性
21ic訊 Analog Devices,Inc. (ADI)最近發(fā)布了四通道、12位/單通道、14位的180 MSPS波形發(fā)生器 AD9106/AD9102,均片內(nèi)集成靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和直接數(shù)字頻率合成器 (DDS),用于復雜波形生成。ADI 最新的 D
日前,賽普拉斯半導體公司宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器BMXCRA31210與BMXERT1604中設(shè)計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉
賽普拉斯半導體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器中設(shè)計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRA
STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容,鞏固了意法半導體的產(chǎn)品性能在先進ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核,為運行更多的應
21ic訊 STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容,鞏固了意法半導體的產(chǎn)品性能在先進ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核,為運行
ST擴展32位單片機優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍
意法半導體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品
聯(lián)電(2303)推出具備競爭力的SRAM 80納米SDDI晶圓專工制程,此技術(shù)將賦予次世代智能型手機屏幕高畫質(zhì)優(yōu)勢。此制程現(xiàn)已準備量產(chǎn),并與數(shù)家主要客戶針對HD720/WXGA畫質(zhì)的智能型手機產(chǎn)品合作中。 聯(lián)電宣布,推出新一代8
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析
幀存是圖形處理器與顯示設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通道,所有要顯示的圖形數(shù)據(jù)首先是存放在幀存之中,然后才送出去顯示的,因此幀存的設(shè)計是圖形顯示系統(tǒng)設(shè)計的一個關(guān)鍵。傳統(tǒng)上,可以用來設(shè)計幀存的存儲器件有多種,如DRAM、VR
可編程邏輯器件主要包括FPGA和CPLD,F(xiàn)PGA是Field Programmable Gate Array縮寫,CPLD是Complex Promrammable Logic Device的縮寫。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,CPLD和FPGA的概念已經(jīng)模糊在一起,如Altera和Lattice公司把小容
IC-W5120包含一個話筒頂放級、自動增益控制、平滑濾波、A/D、D/A、喇叭放大器、校準邏輯控制電路,外接串行SRAM(SSRAM)端口。W5120可提供63個語音記錄節(jié);可串接多個SSRAM,由高電平觸發(fā)REC工作;提供長時間記錄而
21ic訊 賽普拉斯半導體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 (nvSRAM) 系列,其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控
瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響,適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo
根據(jù)美國貿(mào)易局的申報案,韓國三星電子公司和西門子集團下的歐司朗(OSRAM)達成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國華盛頓舉行的美國國際貿(mào)易委員會會議并沒有公布有關(guān)財務(wù)的詳細內(nèi)容。不過,根據(jù)LEDinside的了解,三星
根據(jù)美國貿(mào)易局的申報案,韓國三星電子公司和西門子集團下的歐司朗(OSRAM)達成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國華盛頓舉行的美國國際貿(mào)易委員會會議并沒有公布有關(guān)財務(wù)的詳細內(nèi)容。不過,根據(jù)LEDinside的了解,三星
21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。這些512 Kb和1 Mb
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
據(jù)美國媒體《今日美國》報道,LED燈正逐漸占領(lǐng)家居照明市場,但不僅在這一領(lǐng)域,未來預計將成為車輛照明的生力軍,有助于提高車輛的燃油效率,尤其對于電動車來說有著極其重要的意義。依據(jù)顧問公司麥肯錫的一項報告,