SRAM

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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

施耐德電氣全新可編程自動化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器中設(shè)計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRA

廠商動態(tài)
2012-12-11

施耐德電氣編程 SRAM 控制器
ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴(kuò)大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容，鞏固了意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品性能在先進(jìn)ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核，為運(yùn)行更多的應(yīng)

單片機(jī)
2012-11-28

STM32 32位單片機(jī) CORTEX-M4 SRAM
意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

21ic訊 STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品擴(kuò)大了STM32 F4現(xiàn)有產(chǎn)品陣容，鞏固了意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品性能在先進(jìn)ARM® Cortex™-M4內(nèi)核微控制器市場的領(lǐng)先地位。這兩大系列基于目前性能最高的ARM內(nèi)核，為運(yùn)行

單片機(jī)
2012-11-27

微控制器 STM32 意法半導(dǎo)體 SRAM
ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

嵌入式軟件
2012-11-25

STM32 32位單片機(jī) CORTEX-M4 SRAM
意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

嵌入式軟件
2012-11-24

微控制器 STM32 意法半導(dǎo)體 SRAM
聯(lián)電推SRAM 80納米SDDI制程，攻智能型手機(jī)市場

聯(lián)電(2303)推出具備競爭力的SRAM 80納米SDDI晶圓專工制程，此技術(shù)將賦予次世代智能型手機(jī)屏幕高畫質(zhì)優(yōu)勢。此制程現(xiàn)已準(zhǔn)備量產(chǎn)，并與數(shù)家主要客戶針對HD720/WXGA畫質(zhì)的智能型手機(jī)產(chǎn)品合作中。聯(lián)電宣布，推出新一代8

模擬
2012-11-23

手機(jī)市場聯(lián)電智能型 SRAM
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

嵌入式教程
2012-11-11

FPGA MPU SOPC SRAM
基于FPGA的一種高速圖形幀存設(shè)計

幀存是圖形處理器與顯示設(shè)備之間的數(shù)據(jù)通道，所有要顯示的圖形數(shù)據(jù)首先是存放在幀存之中，然后才送出去顯示的，因此幀存的設(shè)計是圖形顯示系統(tǒng)設(shè)計的一個關(guān)鍵。傳統(tǒng)上，可以用來設(shè)計幀存的存儲器件有多種，如DRAM、VR

電子設(shè)計自動化
2012-11-06

FPGA ST SE SRAM
分析CPLD與FPGA區(qū)別

可編程邏輯器件主要包括FPGA和CPLD，F(xiàn)PGA是Field Programmable Gate Array縮寫，CPLD是Complex Promrammable Logic Device的縮寫。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，CPLD和FPGA的概念已經(jīng)模糊在一起，如Altera和Lattice公司把小容

測試測量
2012-10-11

FPGA 布線 CPLD SRAM
語音記錄控制電路圖

IC-W5120包含一個話筒頂放級、自動增益控制、平滑濾波、A/D、D/A、喇叭放大器、校準(zhǔn)邏輯控制電路，外接串行SRAM（SSRAM）端口。W5120可提供63個語音記錄節(jié)；可串接多個SSRAM，由高電平觸發(fā)REC工作；提供長時間記錄而

控制電路
2012-09-12

控制電路圖 IC RESET SRAM
賽普拉斯退出16-Mbit nvSRAM 系列

21ic訊賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控

智能硬件
2012-09-12

賽普拉斯 NAND SRAM
RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法簡介

瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機(jī)電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo

模擬
2012-09-03

晶體管模擬 LSI SRAM
三星和歐司朗針對國際LED專利達(dá)成訴訟協(xié)議

根據(jù)美國貿(mào)易局的申報案，韓國三星電子公司和西門子集團(tuán)下的歐司朗(OSRAM)達(dá)成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國華盛頓舉行的美國國際貿(mào)易委員會會議并沒有公布有關(guān)財務(wù)的詳細(xì)內(nèi)容。不過，根據(jù)LEDinside的了解，三星

消費(fèi)電子
2012-08-15

三星 LED 歐司朗 SRAM
三星和歐司朗針對國際LED專利達(dá)成訴訟協(xié)議

根據(jù)美國貿(mào)易局的申報案，韓國三星電子公司和西門子集團(tuán)下的歐司朗(OSRAM)達(dá)成LED專利技術(shù)官司的協(xié)議。日前于美國華盛頓舉行的美國國際貿(mào)易委員會會議并沒有公布有關(guān)財務(wù)的詳細(xì)內(nèi)容。不過，根據(jù)LEDinside的了解，三星

消費(fèi)電子
2012-08-15

三星 LED 歐司朗 SRAM
Microchip推出四款串行SRAM新品

21ic訊 Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件，擴(kuò)展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，廣泛適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。這些512 Kb和1 Mb

智能硬件
2012-08-07

器件 Microchip MDASH SRAM
SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑

模擬
2012-08-03

晶體管 SoC 低電壓 SRAM
車輛照明生力軍LED燈可降低能耗

據(jù)美國媒體《今日美國》報道，LED燈正逐漸占領(lǐng)家居照明市場，但不僅在這一領(lǐng)域，未來預(yù)計將成為車輛照明的生力軍，有助于提高車輛的燃油效率，尤其對于電動車來說有著極其重要的意義。依據(jù)顧問公司麥肯錫的一項報告，

顯示光電
2012-07-25

汽車照明 LED燈 SRAM
車輛照明 LED燈可降低能耗

據(jù)報道，LED燈正逐漸占領(lǐng)家居照明市場，但不僅在這一領(lǐng)域，未來預(yù)計將成為車輛照明的生力軍，有助于提高車輛的燃油效率，尤其對于電動車來說有著極其重要的意義。依據(jù)顧問公司麥肯錫的一項報告，照明設(shè)備制造商OSRAM

顯示光電
2012-07-20

汽車照明 LED燈 SRAM
采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

嵌入式教程
2012-07-10

FPGA 數(shù)據(jù)存儲 TIMES SRAM
SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑

模擬
2012-07-08

晶體管 SoC 低電壓 SRAM

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SRAM

施耐德電氣全新可編程自動化控制器選用賽普拉斯1MB串行nvSRAM

ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

ST擴(kuò)展32位單片機(jī)優(yōu)勢 STM32 F4陣容再添新軍

意法半導(dǎo)體推出STM32 F427和F437兩大系列微控制器產(chǎn)品

聯(lián)電推SRAM 80納米SDDI制程，攻智能型手機(jī)市場

基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析

基于FPGA的一種高速圖形幀存設(shè)計

分析CPLD與FPGA區(qū)別

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RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法簡介

三星和歐司朗針對國際LED專利達(dá)成訴訟協(xié)議

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SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

車輛照明生力軍LED燈可降低能耗

車輛照明 LED燈可降低能耗

采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計

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