CMOS圖像采集系統(tǒng)普遍存在圖像質量問題,如果沒有對圖像進行專門的處理,則圖像質量難以保障。近些年來,隨著SoC技術的快速發(fā)展,在圖像采集和處理領域,出現(xiàn)了SoC影像傳感器,它集成CMOS傳感器和圖形處理器功能,可
4月16日,三菱電機宣布將于2012年10月1日設立一家與照明相關的新公司,且將負責燈泡/熒光燈制造及銷售業(yè)務的三菱電機照明(三菱電機持有100%股權),以及和歐司朗(Osram)合資設立的OSRAM-MELCO(負責燈泡/熒光燈制造業(yè)務
傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序,NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口,因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據存儲的微處理器進行接口,并說明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
嵌入式系統(tǒng)應用中NV SRAM存儲器的應用
4月16日,三菱電機宣布將于2012年10月1日設立一家與照明相關的新公司,且將負責燈泡/熒光燈制造及銷售業(yè)務的三菱電機照明(三菱電機持有100%股權),以及和歐司朗(Osram)合資設立的OSRAM-MELCO(負責燈泡/熒光燈制造業(yè)務
引言CMOS存儲結構(如靜態(tài)RAM單元和觸發(fā)器)在受到高能粒子轟擊時容易發(fā)生翻轉(即狀態(tài)改變)。這些高能粒子可能是阿爾法(alpha)粒子、中子、質子或各種重離子,他們是由宇宙射線與大氣外層中的粒子碰撞,或宇宙射線釋放
引言CMOS存儲結構(如靜態(tài)RAM單元和觸發(fā)器)在受到高能粒子轟擊時容易發(fā)生翻轉(即狀態(tài)改變)。這些高能粒子可能是阿爾法(alpha)粒子、中子、質子或各種重離子,他們是由宇宙射線與大氣外層中的粒子碰撞,或宇宙射線釋放
隨著電子技術的發(fā)展,數(shù)字系統(tǒng)的設計正朝著速度快、容量大、體積小、重量輕的方向發(fā)展。高密度現(xiàn)場可編程邏輯器件的出現(xiàn)將大量邏輯功能集成于一個單片 IC之中。對基于 E2PROM (或 Flash Memory)工藝的器件,配置數(shù)據
設想一下:如果你驅車以每小時75英里的速度在高速公路上疾馳,一邊駕駛著2006才購買的新車,一邊欣賞著Steve Miller的Greatest Hits樂曲。突然間,引擎管理系統(tǒng)或穩(wěn)定控制系統(tǒng)失效。如果出現(xiàn)這一幕,您不僅僅可能會遭
基于單片機的復雜可編程邏輯器件快速配置方法基于SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)的可重配置PLD(可編程邏輯器件)的出現(xiàn),為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存配置數(shù)據。這些配置
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化,可抑
Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優(yōu)化設計
Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優(yōu)化設計
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計
1.按邏輯功能塊的大小分類可編程邏輯塊是FPGA的基本邏輯構造單元。按照邏輯功能塊的大小不同,可將FPGA分為細粒度結構和粗粒度結構兩類。細粒度FPGA的邏輯功能塊一般較小,僅由很小的幾個晶體管組成,非常類似于半定
根據臺灣工業(yè)技術研究院,從Pseudo SRAM產品容量來看,2011年以64Mb的出貨量最大,約有2.3億顆,而32Mb與128Mb的市場量都約有8千萬顆。預估2010年~2015年的主流容量仍為64Mb與128Mb?!?2010~2015全球Pseudo SRAM市場
Osram 2011會計年度(10年10月至11年9月)營收達50億歐元(約65億美元),年增7.5%,全球員工數(shù)高達約4萬人,股票雖未上市,但市值估計高達50至70億歐元。西門子一直持有Osram 100%的股份,原本計劃在2011年秋季為Osram進
簡述嵌入式系統(tǒng)的高速度大容量非易失隨機數(shù)據存儲
21ic 訊 賽普拉斯半導體公司日前宣布 Aclara Technologies 已在其全新 UMT-R 家用電表中選用賽普拉斯帶 SPI 接口的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器 (nvSRAM)。串行 nvSRAM 可為 UMT-R 提供高速故障安全型存儲器功能,