SRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,全球領(lǐng)先的通訊設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案供應(yīng)商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDR™II+ (四倍速™) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72
Osram為德國LED大廠,其以10月至隔年9月為會計年度(以下簡稱年度),2010年度前3季(2009年第4季~2010年第2季)Osram營收與稅前凈利表現(xiàn),均相對優(yōu)于2009年度前3季,于此背景下,2010年度Osram營運表現(xiàn),可望回升至2006
FPGA 是實現(xiàn)綠色搜索技術(shù)的關(guān)鍵
FPGA 是實現(xiàn)綠色搜索技術(shù)的關(guān)鍵
SOC中多片嵌入式SRAM的DFT實現(xiàn)方法
基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計
同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)
SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用
摘 要 系統(tǒng)可重構(gòu)技術(shù)是滿足電子系統(tǒng)實時性和靈活性要求的先進技術(shù)。通過對FPGA結(jié)構(gòu)和重構(gòu)方式的分析,說明可重配置FPGA器件是可重構(gòu)系統(tǒng)的良好載體,并提出準(zhǔn)動態(tài)重構(gòu)的概念。根據(jù)現(xiàn)有應(yīng)用,提出了基于FPGA的可重構(gòu)
摘 要 系統(tǒng)可重構(gòu)技術(shù)是滿足電子系統(tǒng)實時性和靈活性要求的先進技術(shù)。通過對FPGA結(jié)構(gòu)和重構(gòu)方式的分析,說明可重配置FPGA器件是可重構(gòu)系統(tǒng)的良好載體,并提出準(zhǔn)動態(tài)重構(gòu)的概念。根據(jù)現(xiàn)有應(yīng)用,提出了基于FPGA的可重構(gòu)
基于FPGA的可重構(gòu)系統(tǒng)及其結(jié)構(gòu)分析
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù). 基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
本文設(shè)計了基于DSP與FPGA的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),采用了軟硬件填充的圖形處理方法,先由DSP軟件完成圖形輪廓生成,然后FPGA硬件圖形處理器根據(jù)圖形輪廓完成耗時的圖形填充,使系統(tǒng)在實時性方面取得了很好的效果并使得系統(tǒng)運算
基于DSP與FPGA的全姿態(tài)指引儀的設(shè)計
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑制SRAM的最
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM,開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上,擁有非??斓捻憫?yīng)時間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲服務(wù)器、交換機和路由器、測試設(shè)備、高端安
EverspinMRAM的三大優(yōu)勢分別是:非易失能力(業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間)、超快的存取周期、無限次擦寫。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM,其超快的存取周期僅為35ns,幾乎與SRAM同一級別,并允許無限制的讀/
Everspin MRAM的三大優(yōu)勢分別是:非易失能力(業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間)、超快的存取周期、無限次擦寫。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM,其超快的存取周期僅為35ns,幾乎與SRAM同一級別,并允許無限制的讀
瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù),可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象,還能在維持速度的同時,以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI C