1 引言 數(shù)控振蕩器是數(shù)字通信中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時(shí)也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號(hào)發(fā)生器的核心。隨著數(shù)字通信技術(shù)的發(fā)展。對(duì)傳送數(shù)據(jù)的精度和速率要求越來(lái)越高。如何得到可數(shù)控的高精度的高頻載
1 引言 數(shù)控振蕩器是數(shù)字通信中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時(shí)也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號(hào)發(fā)生器的核心。隨著數(shù)字通信技術(shù)的發(fā)展。對(duì)傳送數(shù)據(jù)的精度和速率要求越來(lái)越高。如何得到可數(shù)控的高精度的高頻載
1 引言 經(jīng)濟(jì)的發(fā)展促使著人們不斷地提高安防意識(shí),當(dāng)傳統(tǒng)的本地模擬監(jiān)控方式逐漸不能滿足某些行業(yè)大范圍、遠(yuǎn)距離監(jiān)控的需求,如銀行跨地區(qū)聯(lián)網(wǎng)監(jiān)控時(shí),通過(guò)網(wǎng)絡(luò)將圖像進(jìn)行遠(yuǎn)程傳輸?shù)募斜O(jiān)控方式應(yīng)運(yùn)而生。 基于
本文以MP3解碼器為例,介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案,有效提高了代碼的解碼效率,降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。 1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)
Linux下Cold Fire 片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)
O 引言 信息存儲(chǔ)是信息科學(xué)研究的重要內(nèi)容之一。在信號(hào)處理、智能儀器及工業(yè)自動(dòng)控制等領(lǐng)域都存在著信息存儲(chǔ)的內(nèi)容。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)的速度要求越來(lái)越高,因此,數(shù)據(jù)高速存儲(chǔ)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程
賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM,該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲(chǔ)器采用65納米工藝技術(shù),由臺(tái)灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片
賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)系列,以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS(Silicon Ox
2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。今天,英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼
全球LED產(chǎn)業(yè)格局為美國(guó)、亞洲、歐洲三足鼎立,世界主要廠商分布在美國(guó)、日韓、歐盟等地。他們擁有核心技術(shù)和專利,在GaN基藍(lán)光LED、白光LED等技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。由此造成全球LED高端產(chǎn)品市場(chǎng)集中度較高,Cree、Phi
科銳(CREE) 技術(shù)優(yōu)勢(shì) 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片級(jí)封裝技術(shù); 2.大功率芯片和封裝技術(shù)。 旗艦產(chǎn)品 XLamp 2008-2009年企業(yè)狀況 2008年,Cree公司實(shí)現(xiàn)了年收入25%的增長(zhǎng),達(dá)到4.93億美元,其中LED產(chǎn)品銷
Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88,適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。與nvSRAM相比,F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工
隨著創(chuàng)新能力在全球范圍內(nèi)不斷擴(kuò)展,市場(chǎng)呈現(xiàn)出“消費(fèi)化”趨勢(shì):新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、市場(chǎng)壽命縮短,而對(duì)于產(chǎn)品的節(jié)能、效率、設(shè)計(jì)靈活性以及可靠性要求卻日益增加,相對(duì)于ASIC、ASSP,F(xiàn)PGA的上市時(shí)間、開發(fā)成本、靈活
臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先,不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率,而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的