SRAM

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靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

基于CPLD的高速存儲設(shè)計

O 引言信息存儲是信息科學(xué)研究的重要內(nèi)容之一。在信號處理、智能儀器及工業(yè)自動控制等領(lǐng)域都存在著信息存儲的內(nèi)容。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對數(shù)據(jù)信息存儲的速度要求越來越高，因此，數(shù)據(jù)高速存儲在系統(tǒng)設(shè)計過程

測試測量
2009-12-11

CPLD BSP SRAM 狀態(tài)機
65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子（UMC）的芯片

智能硬件
2009-10-28

器件賽普拉斯 DDR SRAM
1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（賽普拉斯）

賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實時時鐘（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS（Silicon Ox

智能硬件
2009-10-26

賽普拉斯存儲器 RTC SRAM
英特爾22納米制程技術(shù)最新動態(tài)

2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國舊金山舉行。今天，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼

電子設(shè)計自動化
2009-09-23

英特爾微米制程技術(shù) SRAM
LED巨頭掀起三大戰(zhàn)役產(chǎn)業(yè)格局愈戰(zhàn)愈明朗

全球LED產(chǎn)業(yè)格局為美國、亞洲、歐洲三足鼎立，世界主要廠商分布在美國、日韓、歐盟等地。他們擁有核心技術(shù)和專利，在GaN基藍(lán)光LED、白光LED等技術(shù)上處于領(lǐng)先地位。由此造成全球LED高端產(chǎn)品市場集中度較高，Cree、Phi

顯示光電
2009-09-14

LED NI OS SRAM
世界五大LED制造商技術(shù)優(yōu)勢及介紹

科銳（CREE）　　技術(shù)優(yōu)勢 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片級封裝技術(shù)； 2.大功率芯片和封裝技術(shù)。旗艦產(chǎn)品 XLamp 2008-2009年企業(yè)狀況 2008年，Cree公司實現(xiàn)了年收入25%的增長，達(dá)到4.93億美元，其中LED產(chǎn)品銷

顯示光電
2009-09-02

LED OS CREE SRAM
FM14C88 F-RAM并口儲存器（Ramtron）

Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務(wù)器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工

智能硬件
2009-09-01

F-RAM FM RAMTRON SRAM
Actel：快閃PFGA的引領(lǐng)者

隨著創(chuàng)新能力在全球范圍內(nèi)不斷擴展，市場呈現(xiàn)出“消費化”趨勢：新產(chǎn)品的設(shè)計周期、市場壽命縮短，而對于產(chǎn)品的節(jié)能、效率、設(shè)計靈活性以及可靠性要求卻日益增加，相對于ASIC、ASSP，F(xiàn)PGA的上市時間、開發(fā)成本、靈活

21ic專訪
2009-08-31

ACTEL 芯片 PROASIC3 SRAM
臺積電28納米SRAM良率突破

臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的

電子設(shè)計自動化
2009-08-26

金屬臺積電 HP SRAM
LED燈能源效率與省電燈泡相去不遠(yuǎn)

雖然大家都知道，LED燈僅會耗費小部分的能量，就能產(chǎn)生與白熾燈泡同樣的光量，不過這只是我們所知的其中一小部分。有研究報告指出，其實LED燈與一般節(jié)能燈泡的能源效率相去不遠(yuǎn)，而且LED燈整體生產(chǎn)過程可能相當(dāng)耗能。

顯示光電
2009-08-07

西門子電燈泡 LED燈 SRAM
一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺設(shè)計與實現(xiàn)

引言目前，通信干擾的手段以信號大功率壓制為主，本質(zhì)上屬于物理層能量干擾，存在效費比低，且容易暴露自身目標(biāo)等缺點，而且隨著新的功率控制和信號處理技術(shù)的應(yīng)用，通信大功率壓制干擾手段的應(yīng)用遇到了瓶頸。

電子設(shè)計自動化
2009-08-06

DSP FPGA BSP SRAM
世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功

美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）等機構(gòu)共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。

智能硬件
2009-08-04

IBM 節(jié)點存儲單元 SRAM

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SRAM

基于CPLD的高速存儲設(shè)計

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（賽普拉斯）

英特爾22納米制程技術(shù)最新動態(tài)

LED巨頭掀起三大戰(zhàn)役產(chǎn)業(yè)格局愈戰(zhàn)愈明朗

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FM14C88 F-RAM并口儲存器（Ramtron）

Actel：快閃PFGA的引領(lǐng)者

臺積電28納米SRAM良率突破

LED燈能源效率與省電燈泡相去不遠(yuǎn)

一種基于FPGA／DSP的靈巧干擾平臺設(shè)計與實現(xiàn)

世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功

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