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臺(tái)積電28納米SRAM良率突破

時(shí)間：2009-08-26 09:22:34

關(guān)鍵字： SRAM 臺(tái)積電 HP 金屬

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的

臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的良率。

臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗(yàn)證，是一項(xiàng)傲人的成就。更值得一提的是，此項(xiàng)成果亦展現(xiàn)我們兩項(xiàng)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last方法而獲得的制造效益。”

臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理劉德音博士表示：“這項(xiàng)突破突顯出臺(tái)積電28納米工藝的能力與價(jià)值。我們不僅有能力延伸傳統(tǒng)慣用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride)材料至28納米世代，也能夠同時(shí)推出28納米的高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)材料的工藝。”

臺(tái)積電28納米工藝的開發(fā)與導(dǎo)入量產(chǎn)計(jì)劃，完全符合2008年九月所宣布的技術(shù)藍(lán)圖在進(jìn)行。28LP工藝預(yù)計(jì)于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，接著28HP工藝于第二季底試產(chǎn)，28HPL則于第三季試產(chǎn)。

28LP工藝具備可快速上市以及低成本的特性，特別適用于手機(jī)與各式行動(dòng)應(yīng)用。28HP工藝則適用于中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、芯片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、網(wǎng)絡(luò)、游戲主機(jī)與行動(dòng)計(jì)算等高效能導(dǎo)向之應(yīng)用。至于28HPL工藝則強(qiáng)調(diào)低耗電、低漏電與中高效能的特性，可用以支援諸如手機(jī)、智能上網(wǎng)本(smart netbook)、無線通訊與可攜式消費(fèi)性電子等低漏電導(dǎo)向之應(yīng)用。

臺(tái)積電28納米工藝均擁有完備的設(shè)計(jì)架構(gòu)，奠基于臺(tái)積電的開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform)，延伸出多強(qiáng)而有力的技術(shù)生產(chǎn)各式不同的產(chǎn)品。

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