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[導(dǎo)讀]2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。今天,英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼

2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國(guó)舊金山舉行。今天,英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼續(xù)不懈地追求延續(xù)摩爾定律,讓最終用戶受益。兩年前英特爾展示了基于前一代32納米技術(shù)的測(cè)試電路,而此次峰會(huì)標(biāo)志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。此次發(fā)布的22納米技術(shù)表明摩爾定律繼續(xù)有效,正在引領(lǐng)我們前行。

在處理器和其他邏輯芯片使用22納米制程技術(shù)之前,SRAM 作為測(cè)試平臺(tái)證明了22納米的技術(shù)性能、工藝良率和芯片可靠性。 英特爾22納米技術(shù)現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段,按既定步調(diào)將“Tick-tock模式”推進(jìn)到下一代。 該22納米測(cè)試電路包括用于22納米微處理器的SRAM存儲(chǔ)器和邏輯電路。 在364兆位的陣列中,有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化;而0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化,而且是迄今所知電路中可工作的最小的SRAM單元。該測(cè)試芯片在指甲蓋大小的面積上集成了29億個(gè)晶體管,密度大約是之前32納米芯片的兩倍。 22納米尺寸使用的曝光工具波長(zhǎng)為193納米,證明了英特爾精妙的光刻技術(shù)。 22納米技術(shù)延續(xù)了摩爾定律:晶體管更小,每個(gè)晶體管能效(性能/瓦)更高、成本更低。
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