SRAM
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迎戰(zhàn)臺積電 聯(lián)電展示28nm制程
臺灣代工廠商聯(lián)電（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，為推出28nm制程奠定基礎。該技術既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。 UMC在300mm晶圓廠中進行28nm制程的研發(fā)，晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺上，UMC也
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MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用
MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應用
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IBM生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM芯片
IBM生產(chǎn)出首個22納米工藝SRAM芯片
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2 Mbit 和 8 Mbit nvSRAM（Cypress）
日前，賽普拉斯半導體公司推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。
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歐盟斥資1千萬美元啟動OLED生產(chǎn)項目
CombOLED是歐盟的第七協(xié)作研發(fā)框架計劃的項目。其目標是整合新設備的結構，充分利用先進的制造技術以及復雜度低的材料，從而開發(fā)出性價比高的基于OLED的照明技術。 該項目由OSRAMOpto半導體公司牽頭，于2008年1月
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采用1 MB片上SRAM的微控制器（瑞薩）
瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號，這些集成了1M字節(jié)片上SRAM的器件適用于數(shù)字音頻和圖形儀表盤應用。
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使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。
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使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。
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DRAM價格跌破現(xiàn)金成本陷入無解習題
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基于SRAM的可重配置電路
基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。
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IT企業(yè)赴英參會 開展產(chǎn)業(yè)推介活動
為開拓重慶市LED及電子通信產(chǎn)品的國際市場，市外經(jīng)委決定組織相關企業(yè)和部門赴英國參加“第五屆歐洲LED大會”，同時開展IT產(chǎn)業(yè)推介活動。 據(jù)了解，歐洲LED大會是歐洲歷史上規(guī)模最大的LED相關產(chǎn)品的展會。2008年“第
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基于SRAM的可重配置電路
基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設計者動態(tài)改變運行電路中PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能，改變這些數(shù)據(jù)，也就改變了器件的邏輯功能。
