經(jīng)I/O優(yōu)化的FPGA

隨著電池供電和功率敏感應(yīng)用的急劇增長(zhǎng)刺激了全球?qū)Φ凸陌雽?dǎo)體的需求，設(shè)計(jì)人員正逐漸發(fā)現(xiàn)需要采用低功耗可重編程解決方案來(lái)適應(yīng)不斷演進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)；加快上市速度，并提供下一代前沿硅解決方案所需的封裝和功耗性能。對(duì)于當(dāng)前采用可編程邏輯技術(shù)的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，確定哪一種是最佳器件主要取決于功耗、性能、邏輯和I/O數(shù)量等設(shè)計(jì)約束。

基于SRAM的FPGA連線資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)

本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測(cè)試開(kāi)關(guān)盒連線資源的時(shí)問(wèn)比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99％以上，大大降低了測(cè)試的時(shí)間，降低了測(cè)試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內(nèi)。

新一代回音IC（HOLTEK）

HOLTEK半導(dǎo)體累積多年來(lái)的回音IC市場(chǎng)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，推出新一代回音IC : HT8972。 HT8972內(nèi)建40KB SRAM (前一代 回音IC HT8970內(nèi)建20KB SRAM)，讓回音效果更細(xì)膩，信噪比更高。HT8972內(nèi)含4個(gè)運(yùn)算放大器，并內(nèi)建AD/DC 轉(zhuǎn)換

東芝、IBM和AMD聯(lián)合開(kāi)發(fā)世界上最小的FinFET SRAM單元

據(jù)Businesswire網(wǎng)站報(bào)道，東芝、IBM和AMD日前宣布，三方采用FinFET共同開(kāi)發(fā)了一種靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）單元，其面積僅為0.128平方微米，是世界上最小的實(shí)用SRAM單元。 該存儲(chǔ)單元采用高電介質(zhì)金屬柵極（high-

聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM

臺(tái)灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù)，試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此，實(shí)現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術(shù)的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了2

德國(guó)實(shí)驗(yàn)室提高白色OLED能源利用率

BASF和OSRAM兩大公司近來(lái)宣布了一則好消息，來(lái)自德國(guó)實(shí)驗(yàn)室的研究成果將OLED的發(fā)光效率提高到了60流明/瓦。 BASF和OSRAM研制的高效白色OLED材料不但能將發(fā)光效率提升至60流明/瓦，符合能源之星通用照明產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，

低功耗異步雙端口SRAM產(chǎn)品組合（IDT）

OSRAM推出深黑色/白色封裝MultiLED

歐司朗光電半導(dǎo)體(OSRAM Opto Semiconductors)推出兩款全新的MultiLED，鎖定不同的 LED視訊顯示器使用。 深黑封裝的新MultiLED設(shè)計(jì)針對(duì)高分辨率顯示器，是目前市場(chǎng)上最深黑色的LED，擁有出色的對(duì)比度和極佳的色彩深

IBM制造出22nm SRAM單元

IBM研究小組聲稱，他們已與聯(lián)合行業(yè)及大學(xué)開(kāi)發(fā)伙伴共同制造出世界最小的SRAM位單元。該SRAM位單元采用22nm設(shè)計(jì)規(guī)則制造，大小僅0.1mm2。 此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導(dǎo)體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學(xué)納

迎戰(zhàn)臺(tái)積電 聯(lián)電展示28nm制程

臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，為推出28nm制程奠定基礎(chǔ)。該技術(shù)既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。 UMC在300mm晶圓廠中進(jìn)行28nm制程的研發(fā)，晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺(tái)上，UMC也