IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc. ）推出用于高端手機的業(yè)界領先的靈活、低功耗、異步雙端口新系列器件。作為處理器之間的橋接，新的 IDT 器件有利于手機設計人員最大限度降低設備復雜性，并通過增加的設計靈活性加快上市時間。此外，憑借增加的電源平面隔離功能，這些器件顯著降低了總系統(tǒng)功耗。
IDT 70P2X5 雙端口可與應用處理器和基帶處理器配合使用，充分利用地址-數(shù)據(jù)復用（address-data mux，ADM）接口。與其它方法相比，該 ADM 接口的輸入/輸出（I/O）管腳數(shù)比在其他高端手機中常見的標準異步雙端口 SRAM的管腳數(shù)更少。IDT 雙端口使用減少了 50% 的處理器 I/O 引腳，釋放的引腳可支持需要的差異化功能。此外，IDT 雙端口還部署了 8 個可控制和/或監(jiān)控其它器件的動態(tài)可編程 I/O，幫助手機設計人員增加更多的差異化功能。
IDT 低功耗雙端口 SRAM 內置的獨特電源平面隔離功能有利于手機實現(xiàn)真正的待機狀態(tài)，同時使整個處理子系統(tǒng)處于待機模式，顯著減低用電量，延長電池壽命。對于那些采用額外邏輯或復雜可編程邏輯器件（Complex Programmable Logic Devices – CPLD）實現(xiàn)復雜電源管理方法的客戶，IDT 的低功耗雙端口還可以通過省卻這些額外元件，幫助降低設計復雜性。
IDT 還推出了 70P2X9 雙端口系列新器件。這些新一代產品與 IDT 之前的器件引腳向后兼容，無需重新設計即可實現(xiàn)增加的功能。為了幫助實現(xiàn)設計靈活性，該系列器件還在兩個端口上內置了可選的 ADM/ 非ADM 操作、各種內核和 I/O 電源電壓支持、256K 密度選項和電源平面隔離功能。
IDT 通信部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“高端手機消費需要高速下載及高質量回放功能，還要在不消耗太大電池功耗的前提下實現(xiàn)要求的速度和質量。我們發(fā)現(xiàn)基帶和應用處理器間的接口是主要的性能瓶頸和電池消耗大戶。很明顯，需要新的互連架構來解決來這個問題，因此我們在該應用領域與領先的高端手機制造商和卓越的處理器元件供應商緊密合作，設計了這些雙端口?！?
供貨
所有新的 IDT 雙端口器件目前已提供樣品，并以 100 引腳 fpBGA 封裝供貨。
IDT 70P2X5 雙端口可與應用處理器和基帶處理器配合使用，充分利用地址-數(shù)據(jù)復用（address-data mux，ADM）接口。與其它方法相比，該 ADM 接口的輸入/輸出（I/O）管腳數(shù)比在其他高端手機中常見的標準異步雙端口 SRAM的管腳數(shù)更少。IDT 雙端口使用減少了 50% 的處理器 I/O 引腳，釋放的引腳可支持需要的差異化功能。此外，IDT 雙端口還部署了 8 個可控制和/或監(jiān)控其它器件的動態(tài)可編程 I/O，幫助手機設計人員增加更多的差異化功能。
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IDT 還推出了 70P2X9 雙端口系列新器件。這些新一代產品與 IDT 之前的器件引腳向后兼容，無需重新設計即可實現(xiàn)增加的功能。為了幫助實現(xiàn)設計靈活性，該系列器件還在兩個端口上內置了可選的 ADM/ 非ADM 操作、各種內核和 I/O 電源電壓支持、256K 密度選項和電源平面隔離功能。
IDT 通信部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“高端手機消費需要高速下載及高質量回放功能，還要在不消耗太大電池功耗的前提下實現(xiàn)要求的速度和質量。我們發(fā)現(xiàn)基帶和應用處理器間的接口是主要的性能瓶頸和電池消耗大戶。很明顯，需要新的互連架構來解決來這個問題，因此我們在該應用領域與領先的高端手機制造商和卓越的處理器元件供應商緊密合作，設計了這些雙端口?！?
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