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sk海力士的nand flash制程將從20納米轉(zhuǎn)換到16納米制程
海力士(skhynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲(chǔ)器(nandflash)微細(xì)制程，積極執(zhí)行資本支出，周星工程(jusungengineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(samsungelectronics)計(jì)劃在2014年第2季投入nand制程轉(zhuǎn)換，執(zhí)行資本支出。據(jù)南韓
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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，因此11月上旬合約價(jià)較
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2013全球半導(dǎo)體公司排行榜
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)顧能（Gartner）8日發(fā)布統(tǒng)計(jì)報(bào)告，去年全球半導(dǎo)體營(yíng)收總計(jì)3,150億美元，年增5%；英特爾雖連二年?duì)I收下滑，仍連續(xù)22 年居半導(dǎo)體龍頭寶座。根據(jù)顧能調(diào)查，全球前25大半導(dǎo)體廠商合計(jì)營(yíng)收增幅達(dá)6.9%，
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SK海力士投資NAND Flash制程轉(zhuǎn)換
SK海力士(SK Hynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)微細(xì)制程，積極執(zhí)行資本支出，周星工程(Jusung Engineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃在20
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DRAM合約價(jià)跌幅 恐加大
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技昨（1）日表示，由于第1季是傳統(tǒng)淡季，3月下旬DRAM合約價(jià)小幅下跌，與2月下旬相較，跌幅約1.56%，估計(jì)4月的跌幅可能會(huì)加大。集邦預(yù)估，第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格可能會(huì)比第1季下跌10%至15%，3月下旬的主流
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DRAM產(chǎn)業(yè)景氣 明年市場(chǎng)鐵定會(huì)更好
DRAM產(chǎn)業(yè)今年風(fēng)風(fēng)雨雨，先是上半年DRAM價(jià)格飆漲，下半年則是美國(guó)DRAM廠美光正式并購(gòu)日本DRAM廠爾必達(dá)，以及SK海力士無(wú)錫廠9月初發(fā)生大火。但對(duì)臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科及華亞科來(lái)說(shuō)
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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東芝訴海力士 因技術(shù)流失損失一千多億日元
【導(dǎo)讀】日前，東芝公司就有關(guān)閃存研究數(shù)據(jù)被非法泄露給韓國(guó)SK海力士公司一事，宣布已向東京地方法院提起民事訴訟，要求SK海力士賠償損失。 報(bào)道稱，東京警視廳警方以涉嫌違反不正競(jìng)爭(zhēng)防止法(公開(kāi)營(yíng)業(yè)秘密)為理由
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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三星、SK海力士晶圓代工多樣化研發(fā)通訊、車用新制程
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)積極研發(fā)新制程，以強(qiáng)化系統(tǒng)晶片代工事業(yè)。據(jù)DDaily報(bào)導(dǎo)，三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部近來(lái)完成28奈米射頻晶片(Radio Frequency；RF)制程研發(fā)，并公開(kāi)將提供給IC設(shè)計(jì)業(yè)者的制
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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開(kāi)。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
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東芝、閃迪訴SK海力士竊取其先進(jìn)閃存芯片技術(shù)
外媒報(bào)道稱，日本東芝和美國(guó)SanDisk對(duì)韓國(guó)SK海力士提出民事訴訟，稱SK海力士涉嫌竊取其用于智能手機(jī)及平板電腦的主要閃存芯片技術(shù)相關(guān)資料，并要求損害賠償。SK海力士表示尚未收到該件訴訟通知，并不予置評(píng)。報(bào)道稱，
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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傳東芝前工程師泄密給韓國(guó)SK海力士
日本讀賣新聞（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力東芝半導(dǎo)體合作伙伴的日本技術(shù)人員。根據(jù)彭博報(bào)導(dǎo)，讀賣新聞指出，這名技術(shù)人員于2008年離開(kāi)東芝的半導(dǎo)體合作伙伴，之后轉(zhuǎn)而投效
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體 第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開(kāi)始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過(guò)購(gòu)并南韓國(guó)內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競(jìng)爭(zhēng)力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擴(kuò)充大陸后段制程 沖擊后段協(xié)力廠
三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)記憶體晶片后段制程生產(chǎn)策略出現(xiàn)變化，由于加速擴(kuò)充大陸后段制程產(chǎn)能，未來(lái)將增加自主生產(chǎn)數(shù)量，減少后段制程外包，使得南韓負(fù)責(zé)后段制程外包生產(chǎn)的協(xié)力廠商產(chǎn)生危
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3DNAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。矽穿孔技術(shù)是將
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SK海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體 第一步進(jìn)軍PMIC事業(yè)
日前SK海力士(SKHynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開(kāi)始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過(guò)購(gòu)并南韓國(guó)內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競(jìng)爭(zhēng)力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)。
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三星、SK海力士擬擴(kuò)大TSV技術(shù) 設(shè)備業(yè)者可望受惠
伴隨半導(dǎo)體制程進(jìn)化到3D結(jié)構(gòu)，相關(guān)設(shè)備業(yè)者在股市上也倍受注目。南韓金融投資業(yè)界指出，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半導(dǎo)體業(yè)者在3D NAND之后，將擴(kuò)大矽穿孔(TSV)技術(shù)應(yīng)用范圍。 矽穿孔技
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SK海力士將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 做PMIC是第一步
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓將強(qiáng)化系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)，最近開(kāi)始向PMIC(電源管理IC)跨出第一步，除活用清州M8產(chǎn)線外，也可能透過(guò)購(gòu)并南韓國(guó)內(nèi)外相關(guān)業(yè)者提升競(jìng)爭(zhēng)力，但SK海力士這招發(fā)展策略是否有效，其實(shí)仍充滿諸多變數(shù)
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