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SK海力士增資無錫晶圓代工業(yè)務
盡管SK海力士在DARM領域僅次于龍頭廠商三星電子排名第二，但在晶圓代工領域的表現(xiàn)卻不盡如人意，去年年末，SK海力士在晶圓代工領域的市場份額僅為0.2%，排名全球第24位。
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1000萬美元 SK海力士增資無錫晶圓代工業(yè)務
據(jù)韓國媒體亞洲經(jīng)濟報道，SK海力士透過子公司SK Hynix System IC向無錫晶圓代工事業(yè)出資1,000萬美元，資金用途視廠房興建計劃而定，無錫新工廠計劃于2019年下半年竣工，從2020年開始正式啟動。
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DRAM內(nèi)存降價大門已打開！Q4要降價10%：美光殺價最狠，三星捍衛(wèi)份額
三星、SK Hynix及美光三家DRAM芯片公司掌握了全球95%的份額，盡管他們本身并不希望DRAM降價，還在通過減產(chǎn)等方式力組降價，只是降價的大門一旦開啟，阻止下降是不可能的了，而這三家公司對市場態(tài)度不同，美光11月份在內(nèi)存芯片市場上被視為最具進攻性的DRAM供應商，價格是最低的，三星則是為努力維持自己的份額，SK Hynix的內(nèi)存芯片倒是最高的。
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Q3韓國DRAM芯片占全球市場的75%，三星、SK海力士是龍頭
DRAMeXchange發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，截至今年9月，韓企在DRAM市場的份額已經(jīng)達到74.6%，三星占45.5%，SK海力士占29.1%，全球第三大廠商是來自美國的鎂光，占比為21.1%。
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SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM
DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標準規(guī)格，應用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機器學習上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
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SK海力士加速DRAM技術開發(fā)，明年投資金額將超三星
SK海力士不僅在存儲器半導體活躍，根據(jù)IC Insights的市調(diào)結果，在整個半導體市場中，今年的銷售額達到全球第三名，這是SK海力士首次擠進前三中，把原本位居第三的臺積電擠至第四名，因此市場也愈測，與競爭公司相比，明年SK海力士的市占率還有可能再繼續(xù)擴大。
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SK海力士4D NAND閃存正式量產(chǎn)：96層堆棧、速度提升30%
隨著64層堆棧3DNAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn)，全球6大NAND閃存廠商今年都開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個4D NAND閃存
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NAND價格下探0.1美元 三星、美光等原廠積極擴產(chǎn)
受惠于NAND Flash每GB價格下探0.1美元的甜蜜點，終端需求大爆發(fā)，三星、SK海力士、美光、東芝等均繼續(xù)積極擴充NAND產(chǎn)線，此舉對以量取勝的封測大廠力成與華泰來說，是一大佳音。近兩年，2D NAND轉向3D NAND，處于克服良率的階段，產(chǎn)能自然減少，導致后段封測廠訂單不理想，但近期因3D NAND良率持續(xù)提升，市場供給量增加，雖導致NAND報價快速且長時間的下滑，但也因為報價跌到市場可大量接受的甜蜜點，致使需求量快速拉升。
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SK海力士宣布量產(chǎn)4D TLC閃存：96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps
從SK海力士給出的資料圖中可以看到，海力士4D閃存采用的是V5 512Gb TLC閃存，同時采用的是96層堆疊、I/O接口速度達到了1.2Gbps，同時SK海力士還宣布將會在第四季度量產(chǎn)這些芯片。
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美對晉華實施禁售令，三星、SK海力士或借機大賺？
在貿(mào)易戰(zhàn)的中美矛盾不斷激化的情況下，美國商務部周一(29日)緊急宣布，為了維護國家安全，對中國福建晉華集成電路實施緊急禁售令，將福建晉華列入美國產(chǎn)品、軟件和技術出口的黑名單，這與之前中興通訊受到的懲罰手法相似。
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存儲器產(chǎn)業(yè)也將引入EUV技術，三星、SK海力士開始，最快2020年量產(chǎn)
根據(jù)韓國媒體的報導，不論是處理器還是存儲器，現(xiàn)在的半導體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機。至于采不采用最先進的EUV極紫外光光科技術目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說，以邏輯芯片的處理器產(chǎn)品來看，因為在制程節(jié)點推進到7納米制程之后，對EUV技術的需求就明顯而直接。而且越往下的先進制程，未來也就越仰賴EUV技術。
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盡管芯片價格疲軟，SK海力士三季度盈利大增73％！
SK海力士為全球第二大內(nèi)存芯片制造商，其表示7月至9月的營業(yè)利潤同比增長73%至6.5萬億韓元(57億美元)。根據(jù)信息巨頭Refinitiv的數(shù)據(jù)，第三季度的實際收益超出19位分析師的平均預測——6.3萬億韓元。與去年同期相比，SK海力士銷售額增長41%，創(chuàng)下11.4萬億韓元的歷史新高。
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三星/SK海力士推遲3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴充，需求增長乏力
內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多，業(yè)內(nèi)普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來了。據(jù)臺灣媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃，原因是客戶需求正在
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為減少對DRAM的依賴，SK加碼投資NAND！
日前有韓國媒體《Business Korea》分析，SK海力士這間M15工廠落成后，可借由擴大生產(chǎn)來縮小市場差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財報中顯示，DRAM占80%的銷量，NAND Flash則僅占18%，和三星電子60：40的比重來比，SK海力士對DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來減少對DRAM的依賴。
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貿(mào)易戰(zhàn)升級！大量在華外企逃離中國
美國一旦繼續(xù)對中國產(chǎn)品加收關稅，有關企業(yè)完全可以立即撤廠。因為多數(shù)大型企業(yè)都在多個亞洲國家設有分廠，因此他們可以在不新建工廠的情況下，至少將部分生產(chǎn)轉移至其他國家。而臺灣和泰國政府則公開鼓勵企業(yè)離開中國。
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內(nèi)存大降價無望？三星、SK海力士等巨頭都在收緊內(nèi)存產(chǎn)能
有消息稱三星、SK海力士等巨頭都在刻意收縮DRAM內(nèi)存顆粒、NAND閃存顆粒的性能，避免供過于求導致價格下滑太多。臺灣《電子時報》旗下調(diào)研機構Digitimes Research今天又發(fā)布報告稱，2018年全球DRAM、NAND產(chǎn)能輸出的增幅預計不會超過30%，2019年更是將不到10%。
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三星DRAM延期 為價格形成有力支撐
三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃，決定延至今年底，為DRAM價格形成有力支撐。 隨著三星新產(chǎn)能擴充腳步延后、供給獲得節(jié)制，一般預料，DRAM價格在今年11月前都將持穩(wěn)不墜，臺系DRAM大廠南亞科、華邦電今年營收也將同步繳出創(chuàng)歷史新高佳績。
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中國為啥對三星、美光、SK海力士展開調(diào)查？
存儲器廠商勾結的這種說法為什么會成立呢?比如存儲器廠商之間串通一氣，在看似合情合理的情況下。也不去故意設定某個價格，只是控制一下供應量，這樣就自然而然的支配定價，就像石油市場一樣。
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雨過天晴,東芝出售芯片業(yè)務終獲中國監(jiān)管部門批準 將于6月完成交易
據(jù)日本共同社消息稱，日前，東芝公司宣布，中國監(jiān)管部門已經(jīng)批準了貝恩資本財團180億美元收購其芯片業(yè)務部門交易。
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DRAM內(nèi)存芯片降價會產(chǎn)生什么影響？
這兩年內(nèi)存價格的一路飆升讓人感到刻骨銘心，而就在2017年第四季度，內(nèi)存價格開始穩(wěn)定并有所回落，DRAM內(nèi)存芯片的行業(yè)價格也下跌了5%。
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