隨著LED成本的不斷下降,以及各國政府對節(jié)能環(huán)保的日益重視,LED燈的市場前景變得越來越廣闊。高亮度LED燈已經出現(xiàn)在各種各樣場合,從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號燈、機場跑道導航燈等等。LED燈的優(yōu)勢也表現(xiàn)
隨著LED成本的不斷下降,以及各國政府對節(jié)能環(huán)保的日益重視,LED燈的市場前景變得越來越廣闊。高亮度LED燈已經出現(xiàn)在各種各樣場合,從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號燈、機場跑道導航燈等等。LED燈的優(yōu)勢也表現(xiàn)
美高森美公司(Microsemi),該公司近日參加了在上海新國際博覽中心舉辦的某著名電子展。本次美高森美重點展示產品和解決方案系列包括:ZL70250 超低功率射頻(RF)收發(fā)器,用于太陽能/光伏逆變器的功率轉換技術,美高森
美高森美公司(Microsemi),該公司近日參加了在上海新國際博覽中心舉辦的某著名電子展。本次美高森美重點展示產品和解決方案系列包括:ZL70250 超低功率射頻(RF)收發(fā)器,用于太陽能/光伏逆變器的功率轉換技術,美高森
Ashton 博士說在正常工作條件下,ESD 保護元件應該保持在不動作狀態(tài),同時不會對電子系統(tǒng)的功能造成任何影響,這可以通過維持低電流以及足以在特定數據傳輸速率下維持數據完整性的低電容值來達成。而在ESD 應力沖擊或
以前公司小的時候,硬件開發(fā)工程師經驗也不高,基本上產品是在裸奔,沒有加任何防護?,F(xiàn)在公司大了,工程師有了點經驗了,卻出現(xiàn)了另一種誤用保護器件的情況。最近評審了一個原理圖,這僅就保護器件來看看有哪些誤用
中心議題: 用于汽車電子保護的TVS參數分析 TVS應用于汽車電子的保護方案解決方案: TVS用于汽車電源線的初級保護 TVS針對負向瞬態(tài)電壓和反向電源電壓的保護 TVS用于汽車電源線的次級保護 汽車設計的
中心議題: 用于汽車電子保護的TVS參數分析 TVS應用于汽車電子的保護方案解決方案: TVS用于汽車電源線的初級保護 TVS針對負向瞬態(tài)電壓和反向電源電壓的保護 TVS用于汽車電源線的次級保護 汽車設計的
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視頻數據線具有高數據傳輸率,(其數據傳輸率高達480 Mbps,有的視頻數據傳輸 率達到1G 以上),因而要選擇低電容LCTVS,通常是將一個低電容二極管與TVS 二極 管串聯(lián),以降低整個線路的電容(可低于3 pF),從而達到高
瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor)簡稱TVS,是一種二極管形式的高效能保護器件,有的文獻上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時,它能以10-12秒量級的速度,將其兩極
廣電系電視購物,隱現(xiàn)模式之爭。10月16日,由南方廣播影視傳媒集團與上海東方傳媒集團旗下東方購物合資組建的南方家庭購物平臺——“TVS東方購物”將正式開播,其將利用南方電視臺TVS3套晚上9點
TVS用于交流電路 圖2-1是一個雙向TVS在交流電路中的應用,可以有效地抑制電網帶來的過載脈沖,從而起到保護整流橋及負載中所有元器件的作用。 TVS的箝位電壓不大于電路的最大允許電壓。 圖2-2
在選用瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)時,必須考慮電路的具體條件,一般應遵循以下原則: 1) 箝位電壓Vc(MAX)不大于電路的最大允許安全電壓。 2) 最大反向工作電壓(變位電壓)VRWM不低于電路的最大工作電壓,
隨著印度風電行業(yè)的迅猛發(fā)展,眾多企業(yè)看到了這一市場的巨大潛力,有實力的相關企業(yè)紛紛轉向進軍風電市場。近日,印度TVS集團旗下的桑德蘭緊固件公司宣布,將斥資5億盧比在印度本地治里新建一工廠,主要生產風電用特
TVS管的選取 計算選取時應注意以下幾點: ① TVS額定反向關斷電壓VWM應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。 ② 最小擊穿電壓VBR=VWM/KBR (其中,KBR=0.8~0.9)。 ③ TVS的最大箝位電壓VC應小于被保護電路的
隨著LED成本的不斷下降,以及各國政府對節(jié)能環(huán)保的日益重視,LED燈的市場前景變得越來越廣闊。高亮度LED燈已經出現(xiàn)在各種各樣場合,從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號燈、機場跑道導航燈等等。LED燈得優(yōu)勢也表現(xiàn)
隨著LED成本的不斷下降,以及各國政府對節(jié)能環(huán)保的日益重視,LED燈的市場前景變得越來越廣闊。高亮度LED燈已經出現(xiàn)在各種各樣場合,從戶外廣告牌、電視LED背光燈到交通信號燈、機場跑道導航燈等等。LED燈得優(yōu)勢也表現(xiàn)
設計中,根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數,利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
saber下MOSFET驅動仿真實例