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[導(dǎo)讀]輸入特性曲線: 在三極管共發(fā)射極連接的情況下,當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE?維持不同的定值時(shí),uBE和iB之間的一簇關(guān)系曲線,稱(chēng)為共射極輸入特性曲線。一般情況下,當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)就處于反向

輸入特性曲線: 

在三極管共發(fā)射極連接的情況下,當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE?維持不同的定值時(shí),uBE和iB之間的一簇關(guān)系曲線,稱(chēng)為共射極輸入特性曲線。一般情況下,當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)就處于反向偏置,此時(shí)再增大UCE對(duì)iB的影響很小,也即UCE>1V以后的輸入特性與UCE=1V的一條特性曲線重合,所以,半導(dǎo)體器件手冊(cè)中通常只給出一條UCE≥1V時(shí)的輸入特性曲線,如圖所示。輸入特性曲線的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:iB=f(uBE)|?UCE?= 常數(shù)?

、



輸出特性曲線:

? ? ? ? ? ?輸出特性是指以基極電流IB為常數(shù),輸出電壓uCE和輸出電流iC之間的關(guān)系,即:iC=f(uCE)|IB?=常數(shù)。對(duì)于不同的IB,所 得到的輸出特性曲線也不同,所以,三極管的輸出特性曲線是一簇曲線。根據(jù)三極管的工作狀態(tài)不同,可以將輸出特性分為三個(gè)區(qū)域,如圖所示。
  硅管的管壓降為0.7V;鍺管的管壓降為0.3V。


(1)截止區(qū):指區(qū)域A ? ?IB=0的那條特性曲線以下的區(qū)域。在此區(qū)域里,三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài),三極管失 去了放大作用,集電極只有微小的穿透電流ICEO。?
(2)飽和區(qū):指區(qū)域C ?在此區(qū)域內(nèi),對(duì)應(yīng)不同IB值的輸出特性曲線族幾乎重合在一起。也就是說(shuō),UCE較小時(shí),IC雖然增加,但I(xiàn)C 增加不大,即IB失去了對(duì)IC的控制能力。這種情況,稱(chēng)為三極管的飽和。飽和時(shí),三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置狀態(tài)。三極管集電極與發(fā)射極間的電壓稱(chēng)為集-射飽和壓降,用UCES表示。UCES很小,通常中小功率硅管UCES<0.5V。?區(qū)域A右邊緣線稱(chēng)為臨界飽和線,在此曲線上的每一點(diǎn)應(yīng)有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲線急劇拐彎點(diǎn)的連線。在臨界飽和狀態(tài)下的三極管,其集電極電流稱(chēng)為臨界集電極電流,用Ics表示;其基極電流稱(chēng)為臨界基極電流,用IBS表示。這時(shí)ICS=βIBS?的關(guān)系仍然成立。?
(3)放大區(qū):指區(qū)域B ?在截止區(qū)以上,介于飽和區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域?yàn)榉糯髤^(qū)。在此區(qū)域內(nèi),特性曲線近似于一簇平行等距的水 平線,iC的變化量與iB的變量基本保持線性關(guān)系,即ΔiC=βΔiB,且ΔiC>>ΔiB?,就是說(shuō)在此區(qū)域內(nèi),三極管具有電流放大作用。此外集電極電壓對(duì)集電極電流的控制作用也很弱,當(dāng)uCE>1 V后,即使再增加uCE,iC幾乎不再增加,此時(shí),若IB不變,則三極管可以看成是一個(gè)恒流源。在放大區(qū),三極管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。?

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