6月13日報道12日，國內(nèi)媒體相繼刊發(fā)了高通下一代旗艦芯片將由三星代工的報道。

消息的細(xì)節(jié)多來自于對一篇9日韓國科技媒體《THELEC》文章的編譯，稱三星獲得了于7納米EUV工藝，計劃將在明年發(fā)布的驍龍865芯片代工“肥單”。

據(jù)集微網(wǎng)記者了解和查證，在EUV 7納米工藝上，高通選擇三星代工合作的伏筆早在一年前便已埋下，韓媒此舉，或有吹風(fēng)造勢之意，而憑借收獲包括高通、英偉達(dá)、IBM在內(nèi)的重要客戶支持，三星在代工領(lǐng)域向臺積電發(fā)起沖擊的號角已經(jīng)吹響。

旗艦芯片代工三星早與高通綁定

在客戶方面，高通今年最大的事兒就是搞定了蘋果，雙方簽了一個“6+2”年的協(xié)議讓高通美滋滋。而在去年，高通已經(jīng)先把三星搞定了。

這兩個和解的背景不盡相同，都是在韓美兩國貿(mào)易委員會（KFTC和FTC）對于高通反壟斷一案調(diào)查的局面下誕生。蘋果放棄了與高通的全球訴訟，而三星則停止其對于高通在首爾高等法院對韓國公平貿(mào)易委員決定進(jìn)行上訴一案的干預(yù)。

與蘋果和解的內(nèi)容暫且不表，因為時間較短，目前釋放和挖掘的信息有限，請參閱雙方新聞稿中的外交辭令。

而與三星的和解，值得一說。

2018年2月初，高通在發(fā)布的同三星和解的新聞稿中這樣表述，稱“與三星修訂長期交叉許可協(xié)議并與三星宣布拓展戰(zhàn)略伙伴關(guān)系”。這讓很多人會以為雙方只是在授權(quán)許可協(xié)議上進(jìn)行了協(xié)商，似乎只是個費率的事兒。

但隨后在2018年2月22日，高通在官方的新聞稿中宣布“與三星擴(kuò)大EUV制程工藝的代工合作”，稱雙方計劃將長達(dá)十年的代工合作關(guān)系擴(kuò)展至EUV光刻制程工藝，包括采用三星7納米LPP（Low Power Plus）EUV制程工藝制造未來的驍龍5G芯片。

而高通付給三星1億美元的和解金一事，也是最近在美國FTC訴高通一案的法庭文件中這一信息意外泄漏出來的，一度讓三星顯得很慌。

這樣看來，十年長約、1億和解金以及代工合作構(gòu)成了高通與三星和解的重要內(nèi)容。高通在7納米EUV制程工藝上轉(zhuǎn)投三星，并非此前媒體分析的是因為三星報價比臺積電低（當(dāng)然7納米EUV確實具有成本優(yōu)勢）和臺積電7納米產(chǎn)能滿產(chǎn)等原因，更多地是基于對于該技術(shù)的看好以及雙方的戰(zhàn)略協(xié)議本身。

從近年來雙方的合作上看，三星一直是高通在代工上的伙伴。2016和2017年，三星分別為高通代工了10納米工藝的旗艦芯片驍龍820和驍龍835，直到2018年高通的旗艦芯片驍龍845和855代工才由臺積電接手。

這其中一方面有高通因三星參與的韓國FTC的訴訟官司影響，也有三星在制程上選擇跳過非EUV的7納米工藝有關(guān)，在這個階段選擇同臺積電合作有利于高通保持在制程工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢。但在中端芯片方面，包括驍龍660、驍龍730也依然由三星的11nm LPP和8nm LPP制程工藝打造。

韓媒的報道稱目前的信息基于業(yè)內(nèi)人士提供，并沒有得到高通和三星官方的確認(rèn)，但雙方應(yīng)該也不會確認(rèn)，因為事實本來就是如此。

7納米EUV三星臺積電“二人轉(zhuǎn)”

韓媒曝光了代工方面的更多細(xì)節(jié)。對于驍龍865，三星將會在華城市17產(chǎn)線啟動生產(chǎn)，最初的晶元產(chǎn)能為18000片/月。在華城園區(qū)三星投了13億美元為用于EUV產(chǎn)線建設(shè)，而今年九月專為高通打造的EUV產(chǎn)線將建設(shè)完成，最快將于明年2月實現(xiàn)量產(chǎn)。這也與此前媒體曝光的驍龍865將于2020年年初上市的時間點吻合。

此次由三星代工的驍龍865將會有兩個版本，其中標(biāo)準(zhǔn)版具有LTE基帶、而高端版本集合驍龍X55第二代5G基帶，從而應(yīng)對目前來自5G方面的產(chǎn)業(yè)和市場需求。

7納米LPP（Low Power Plus）EUV制程工藝被普遍視為是7納米制程工藝上下階段的演進(jìn)方向，又稱二代7納米技術(shù)。在進(jìn)入7納米工藝節(jié)點后，三星和臺積電是這個領(lǐng)域中唯二的“玩家”。

與競爭對手臺積電在7納米節(jié)點上的策略不同，三星一開始便選擇在7納米 LPP 制程節(jié)點上直接導(dǎo)入了EUV技術(shù)。

2017年五月，三星率先推出首次采用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。據(jù)三星方面稱，相較于其前代10納米FinFET技術(shù)，三星的7LPP EUV技術(shù)通過更少工藝步驟和更佳良率，不僅極大地降低了工藝復(fù)雜性，也帶來了高達(dá)40%的面積效率，同時實現(xiàn)10%的性能提升或高達(dá)35%的功耗降低。

而同7納米的制程工藝相比，7LPP EUV技術(shù)制造的芯片同樣擁有更高流片效率，產(chǎn)量更高，生產(chǎn)所需的掩模數(shù)量減少，生產(chǎn)周期短、平均制造成本更低的優(yōu)勢。

今年4月，三星方面稱華城EUV生產(chǎn)線已經(jīng)完成建設(shè)工作，這意味著7 納米EUV 制程進(jìn)入量產(chǎn)。三星已經(jīng)計劃將其7納米EUV方案打造的Exynos 9825芯片搭載到8月發(fā)布的Galaxy Note10上。而高通的驍龍865將首發(fā)于哪款手機(jī)目前尚不可知。

臺積電方面今年5月宣布7納米EUV工藝正式達(dá)到量產(chǎn)要求。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計基于該工藝的量產(chǎn)芯片產(chǎn)品將是華為海思下一代旗艦麒麟985，將在三季度規(guī)模量產(chǎn)，而在第四季度發(fā)布的華為Mate30系列，將有望成為最先搭載麒麟985芯片的手機(jī)。

盡管目前華為面臨中美貿(mào)易爭端的壓力，但臺積電已表示不會影響進(jìn)度，如果參照去年華為在10月IFA發(fā)布麒麟980的節(jié)奏和目前已知的信息，繼去年之后，海思麒麟將再次先于高通發(fā)布采用先進(jìn)制程的旗艦芯片。

瘋狂“搶單”三星欲奪臺積電份額

2017年中，三星將晶圓代工業(yè)務(wù)切割獨立，高調(diào)宣布進(jìn)入代工領(lǐng)域，并要在未來五年內(nèi)實現(xiàn)代工市占率達(dá)到25%，野心不小。

在今年4月30日三星在華城園區(qū)舉行的“韓國系統(tǒng)芯片產(chǎn)業(yè)愿景和戰(zhàn)略”上，韓國總統(tǒng)文在寅更是站臺支持，文在寅特別強(qiáng)調(diào)在代工方面，韓國的目標(biāo)是到2030年發(fā)展成為晶圓代工領(lǐng)域的世界龍頭，已經(jīng)表明了希望三星未來取代臺積電坐上代工頭把交易的目標(biāo)，政府也將全力支持。

在這樣的目標(biāo)牽引和激勵下，攜7納米EUV的優(yōu)勢，三星代工業(yè)務(wù)正在瘋狂“搶單”。除了高通之外，目前三星還獲得了包括IBM Power系列處理器、Nvidia下一代GPU等重要客戶的訂單。

收獲這些客戶對于三星而言意義重大。

比如三星同IBM的合作，雖然服務(wù)器芯片代工在產(chǎn)量上較一般手機(jī)芯片有限，但具有高利潤高價值，臺積電一直垂涎這塊肥肉，但最終花落三星。而對于英偉達(dá)而言，是真正放棄了多年合作的臺積電轉(zhuǎn)投三星而來，再加上此次的高通，在全球前二、三的芯片設(shè)計公司加持下，三星代工業(yè)務(wù)收獲的不只是訂單，還有巨大的信心，將進(jìn)一步增強(qiáng)其在代工領(lǐng)域的影響力和話語權(quán)。

當(dāng)然，這其中也有臺積電自身的原因，如有業(yè)內(nèi)分析人士指出，目前臺積電7nm制程訂單已經(jīng)飽和，但臺積電不愿降低7納米、7納米EUV報價，而三星給出了極其誘人的代工價格（臺積電的六成左右），才使得這些廠商轉(zhuǎn)投三星。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的2019年第一季全球晶圓代工排名顯示，臺積電、三星與格芯市占率排名前三。業(yè)內(nèi)分析稱短期內(nèi)三星將不會對臺積電的市占率產(chǎn)生威脅，因為在7納米上，臺積電還握有蘋果的A13，海思的麒麟985以及AMD全線產(chǎn)品的訂單，但對臺積電2020年的營收將產(chǎn)生影響。