據(jù)報(bào)道，截止2019年5月，青島芯恩項(xiàng)目管理和技術(shù)團(tuán)隊(duì)已簽約報(bào)到管理及技術(shù)人員330人，其中博士20余人，碩士60余人。項(xiàng)目工程8英寸廠筏板基礎(chǔ)施工完成90%；12英寸廠筏板基礎(chǔ)施工完成93%；測(cè)試樓1首層結(jié)構(gòu)完成90%；測(cè)試樓2四層結(jié)構(gòu)完成90%；行政中心三層結(jié)構(gòu)完成60%。已訂購(gòu)87臺(tái)二手生產(chǎn)設(shè)備，其中60臺(tái)已完成翻修。

今年3月，張汝京曾表示，芯恩項(xiàng)目進(jìn)展順利。

芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目位于青島國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)，是全國(guó)首個(gè)CIDM集成電路項(xiàng)目，于2018年3月在青島西海岸新區(qū)簽約。芯恩集成電路公司也是張汝京的第五次創(chuàng)業(yè)，被稱(chēng)為“中國(guó)半導(dǎo)體之父”的他選擇在青島發(fā)展出適合中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的CIDM模式，即創(chuàng)建共享共有式整合元件制造公司，整合芯片設(shè)計(jì)、芯片工藝技術(shù)研發(fā)、芯片制造、芯片封裝測(cè)試，整合式地為終端客戶(hù)提供高品質(zhì)、高效率的產(chǎn)品。

據(jù)悉，該項(xiàng)目一、二期總投資約188億元，其中一期總投資約81億元，占地約373畝，總建筑面積約35萬(wàn)平方米，主要從事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成電路產(chǎn)品的量產(chǎn)，滿產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年均產(chǎn)值約46.1億元，凈利潤(rùn)約9.7億元。

目前，芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目已確定了特色功率芯片和高端微控制器技術(shù)路線。已規(guī)劃12英寸廠從40納米邏輯產(chǎn)品入手逐漸推進(jìn)到28納米的產(chǎn)品線，通過(guò)對(duì)前段工藝浸潤(rùn)式光刻工藝，自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物，嵌入式SiGe源漏區(qū)工藝開(kāi)發(fā);后段工藝超低介電材料層間介質(zhì)層工藝整合，以及28納米的高介電層金屬閘級(jí)，完成器件性能的確認(rèn)。

信網(wǎng)報(bào)道還指出，該項(xiàng)目將開(kāi)發(fā)12英寸40nm-28nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術(shù)，除了意法半導(dǎo)體技術(shù)授權(quán)40nm的標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝以外，同時(shí)開(kāi)發(fā)閃存Embedded Flash的尖端工藝，用以生產(chǎn)微處理器MCU芯片。還將開(kāi)發(fā)8英寸180nm-110nm集成電路芯片產(chǎn)品工藝技術(shù)，包括數(shù)字模擬混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半導(dǎo)體功率器件，其中IGBT的逆導(dǎo)型IGBT的高端及超薄(小于50微米的硅片厚度)的工藝技術(shù)是中國(guó)首創(chuàng)。RC-IGBT是將IGBT單元和FWD單元交替配置而成。

張汝京還在今年3月份透露，芯恩的現(xiàn)有的人才當(dāng)中有一些在14nm制程量產(chǎn)方面，已經(jīng)具備了豐富的經(jīng)驗(yàn)，他們正在為芯恩的先進(jìn)制程量產(chǎn)做著準(zhǔn)備。而該公司的二期工程，目標(biāo)就是針對(duì)14nm及以下先進(jìn)制程的，要建兩座月產(chǎn)能為5萬(wàn)片的Fab。

信網(wǎng)此次報(bào)道指出，芯恩(青島)集成電路項(xiàng)目正在建設(shè)特色型工藝的8英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)數(shù)?；旌瞎に嚨?0納米12英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)14納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測(cè)試廠一個(gè)以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。