近日，SK海力士宣布，已經成功研發(fā)并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，雖然包括SK海力士在內多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存，但這是TLC閃存第一次達到單顆1Tb。距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月，SK海力士還表示，正在研發(fā)176層堆疊的下一代4D NAND閃存。

SK海力士的4D NAND閃存技術是去年10月份官宣的，SK海力士這次使用TLC設計開發(fā)新產品，相比先前96層使用的QLC，TLC的性能、處理速度都有了不同程度的提升，還應用了垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力回路設計等技術，制造出堆棧3600億以上NAND顆粒、128層的1Tb產品，不僅達到業(yè)界最高堆棧數，也超越三星電子量產的90層NAND。

利用這種架構設計，SK海力士在從96層堆疊到128層堆疊時，雖然層數增加了三分之一，但是制造工藝步驟減少了5％，整體投資也比之前減少了60％。新的128層4D閃存單顆容量1Tb，是業(yè)內存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產的比特容量也比96層堆疊增加了40％。

SK海力士相關人士表示，新閃存可以在1.2V電壓下實現1400Mbps的數據傳輸率，可用于高性能、低功耗的手機存儲、企業(yè)級SSD。