中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。

VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實(shí)現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個(gè)用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。

單片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)?，包括原邊或副邊穩(wěn)壓隔離反激式轉(zhuǎn)換器、電阻反饋非隔離反激式轉(zhuǎn)換器、降壓轉(zhuǎn)換器和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。

市場(chǎng)上最高的MOSFET擊穿電壓，結(jié)合片上集成的一整套功能，需要極少的外部電路，這些特性使設(shè)計(jì)人員能夠節(jié)省物料清單成本和電路板空間，同時(shí)提高電源的可靠性，例如，單相和三相智能電表、三相工業(yè)系統(tǒng)、空調(diào)和LED照明的電源。

新產(chǎn)品還有很多其它優(yōu)點(diǎn)，例如，內(nèi)部固定開關(guān)頻率60kHz，抖動(dòng)±4kHz，配合MOSFET開通和關(guān)斷期間柵極電流控制功能，可以最大限度地降低開關(guān)噪聲輻射。高轉(zhuǎn)換效率和低于30mW的空載功耗，有助于應(yīng)用達(dá)到高能效等級(jí)和嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)要求。

VIPer26K現(xiàn)已投產(chǎn)，采用SO-16N封裝。