根據(jù)外媒報(bào)道，在《財(cái)富》科技頭腦風(fēng)暴大會(huì)上，英特爾首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺接受了采訪，在談到英特爾10nm問(wèn)題時(shí)，他表示10nm延遲5年是因?yàn)檫^(guò)于激進(jìn)，而7nm工藝新品將在兩年內(nèi)推出。

鮑勃·斯旺表示，英特爾一直把目標(biāo)放在更好、更大的密度上，以保持其在業(yè)務(wù)上的領(lǐng)先地位。與上一代的14納米晶體管相比，10nm芯片的密度提高了2.7倍。

他解釋稱，英特爾交付10nm工藝延遲了5年，原因是過(guò)于激進(jìn)。此外，他還表示，英特爾的7nm工藝技術(shù)預(yù)計(jì)將在兩年內(nèi)推出，目前已經(jīng)處于開(kāi)發(fā)階段，英特爾將在未來(lái)兩年內(nèi)將這一技術(shù)的密度提高到目前的2.0倍。

最后，他還指出自動(dòng)駕駛汽車有望成為英特爾未來(lái)的一大收入來(lái)源。