由于被美國商務(wù)部制裁，華為的供應(yīng)鏈面臨斷供的風(fēng)險，特別是美國公司的芯片及軟件，除了CPU、射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片之外，華為的閃存芯片也會受到壓力，智能手機、服務(wù)器、基站等產(chǎn)品中都會用到大量NAND閃存。

目前全球的NAND閃存主要掌握在三星、東芝、西數(shù)、SK Hynix、美光、Intel等六家公司中，其中美光、Intel、西數(shù)是美國公司，但他們的NAND閃存在全球占比相對較小，主要閃存供應(yīng)還是三星、東芝、SK Hynix，此前東芝公司也否認(rèn)對華為斷供，韓國公司斷供可能性也不大，所以華為NAND閃存供應(yīng)暫時沒有風(fēng)險。

但是為了應(yīng)對極端情況，華為也在準(zhǔn)備國產(chǎn)閃存的備胎計劃，消息稱華為已經(jīng)要求國內(nèi)的長江存儲提前量產(chǎn)64層堆棧的3D TLC閃存，以備不時之需，不過長江存儲目前尚未證實或者否認(rèn)此事。

在NAND閃存領(lǐng)域，國內(nèi)投入力量最大的就是長江存儲，2016年在武漢斥資240億美元建設(shè)國產(chǎn)NAND存儲芯片基地，去年已經(jīng)開始少量生產(chǎn)32層堆棧的3D閃存，預(yù)計今年底投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動，目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。

由于華為事件爆發(fā)，長江存儲的閃存量產(chǎn)計劃可能會提前，這對國內(nèi)公司來說也是一次機遇。

根據(jù)長江存儲之前的消息，64層堆棧是今明兩年生產(chǎn)的主力，再下一代則會直接進入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在閃存技術(shù)方面，去年長江存儲推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。今年8月份將會推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會不斷進化中。