隨著三星加快7nm EUV工藝量產(chǎn)，臺(tái)積電領(lǐng)先了一年的7nm先進(jìn)工藝今年會(huì)迎來激烈競爭，IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV陣營了。

在先進(jìn)工藝路線圖上，臺(tái)積電的7nm去年量產(chǎn)，7nm EUV工藝今年量產(chǎn)，海思麒麟985、蘋果A13處理器會(huì)是首批用戶，明年則會(huì)進(jìn)入5nm節(jié)點(diǎn)，2021年則會(huì)進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)，最終在2022年規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。

臺(tái)積電從去年就開始啟動(dòng)3nm晶圓廠的建設(shè)工作，由于晶圓廠對(duì)水力、電力資源要求很高，初期的環(huán)評(píng)工作很嚴(yán)格，今天臺(tái)灣環(huán)保部門公布了臺(tái)積電3nm晶圓廠的專案初審，通過了新竹科學(xué)園區(qū)有過寶山用地的申請(qǐng)，這意味著臺(tái)積電的3nm晶圓廠最終落地在新竹園區(qū)。

根據(jù)臺(tái)積電之前的資料，整個(gè)3nm晶圓廠預(yù)計(jì)會(huì)在2020年正式動(dòng)工建設(shè)，耗資超過4000億新臺(tái)幣，折合879億人民幣或者130億美元。

由于摩爾定律逐漸到了物理極限，3nm被認(rèn)為是最后的一代硅基半導(dǎo)體工藝，因?yàn)?nm節(jié)點(diǎn)會(huì)遭遇嚴(yán)重的干擾。為了解決這個(gè)問題，三星宣布在3nm節(jié)點(diǎn)使用GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

與三星相比，臺(tái)積電并沒有公布過3nm工藝的具體技術(shù)細(xì)節(jié)，預(yù)計(jì)也會(huì)改用全新結(jié)構(gòu)的晶體管工藝，只不過目前尚無明確消息。