NAND閃存芯片價格連跌了6個季度，上游廠商叫苦不迭，但是下游廠商及消費(fèi)者總算喘了口氣，智能手機(jī)128GB容量都是標(biāo)配了，1TB SSD硬盤也實惠多了，可以讓HDD硬盤見鬼去了。

NAND閃存下一步還要怎么發(fā)展？我們知道提高3D NAND閃存容量現(xiàn)在主要有兩個方向了，一個是提高堆棧層數(shù)，今年多家NAND公司量產(chǎn)了96層堆棧的3D閃存，三星日前還首發(fā)了136層堆疊、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）閃存，很快其他廠商也會跟上。

另一個提高閃存容量、降低成本的方式就是提高閃存cell單元的bit位元，所以就有了SLC、MLC、TLC、QLC閃存之分，它們每個單元中分別容納了1bit、2bit、3bit、4bit位元，而主控需要控制2組、4組、8組、16組不同的電壓，越來越復(fù)雜，而且寫入性能直線下降，可靠性也會下滑。

QLC閃存從去年到現(xiàn)在正在快速進(jìn)入市場，但是大家對QLC閃存的評價可不高，雖然市售產(chǎn)品的性能指標(biāo)看起來不錯，但是沒有了SLC緩存、DRA緩存拉高性能，QLC閃存的原始寫入性能實際上只有80MB/s，比HDD硬盤都不如（但隨機(jī)性能依然秒殺）。

這個問題也是QLC閃存普及的障礙，不過普通人也沒什么辦法，隨著生產(chǎn)的擴(kuò)大，QLC閃存遲早會是主流選擇之一。

那QLC閃存之后，實際上5bit MLC閃存也一直在研究中，其名字可能是Penta Level Cells，簡稱PLC，它要控制32組不同的電壓，更加復(fù)雜了，所以過去一兩年雖有零星報道，但是談量產(chǎn)、上市還有點(diǎn)早。

在剛剛開幕的2019 FMS國際閃存會議上，東芝已經(jīng)開始探討PLC閃存的可能了，目前還沒實物，但是這也代表著PLC閃存已經(jīng)開始嶄露頭角了，說不定哪天就真的上市了。

對于PLC閃存，現(xiàn)在沒有什么實際的規(guī)格、性能，但是QLC閃存性能都比不過HDD硬盤，PLC只能更渣，這個是天生的，只能靠各種緩存技術(shù)來提升下了。