8月23日下午消息，據(jù)報道，臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示，毋庸置疑的，摩爾定律依然有效且狀況良好，它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病，并透露晶體管將能做到0.1納米。

1965年提出的摩爾定律（Moores Law）引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展超過半世紀(jì)，這個定律主要是指芯片上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

但摩爾定律有沒有走到極限？走到極限未來會是什么樣的發(fā)展？這是近幾年來全球科技界業(yè)討論相當(dāng)多的問題。

近幾年，互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）先進制程中，最新幾代納米節(jié)點的功耗改善程度，已出現(xiàn)明顯的放緩?？萍冀缬^察到，從45納米到14納米的節(jié)能數(shù)據(jù)可以看出，雖然每一代制程，芯片的面積變得越來越小，但能夠達到的能耗縮減幅度卻越來越小，尤其在14納米初期最為明顯。近二、三年進入更先進的10納米制程，也有類似狀況。這不禁讓人憂心，摩爾定律是否即將走到盡頭？

對此，在本周開幕的第31屆HotChips大會專題演講中，臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律依然有效且狀況良好。

對于未來的技術(shù)路線，黃漢森認(rèn)為像碳納米管（1.2nm尺度）、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你；同時，相變存儲器（PRAM）、旋轉(zhuǎn)力矩轉(zhuǎn)移隨機存取存儲器（STT-RAM）等會直接和處理器封裝在一起，縮小體積，加快數(shù)據(jù)傳遞速度；此外還有3D堆疊封裝技術(shù)。

黃漢森強調(diào)，社會對先進技術(shù)的需求是無止境的，他還強調(diào)，除了硬件，軟件算法也需要迎頭趕上。