存儲器半導(dǎo)體巨頭美光持續(xù)推動攻擊性投資，韓國2大半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士則密切關(guān)注市場變化，調(diào)節(jié)投資速度。

據(jù)韓媒《朝鮮日報》報道，市調(diào)公司IC Insights日前預(yù)測，今年DRAM設(shè)備投資規(guī)模將達170億美元，比去年（237億美元）少28％。

繼本月新加坡Nand閃存工廠竣工后，美光再度傳出擴廠消息。雖然美光證實將在臺灣臺中建設(shè)A3廠，但卻否認規(guī)劃A5廠的消息，并表示將在全球擴廠，但不會增加產(chǎn)能。

相較之下，韓國半導(dǎo)體企業(yè)今年皆放緩了投資腳步。上半年三星電子投資半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模為10萬億7000億韓元，比去年（13萬億3000億韓元）少19％以上，并集中建設(shè)存儲器半導(dǎo)體基礎(chǔ)配備無塵室、EUV設(shè)備等。

三星電子年初發(fā)表2018年第4季財報時，就曾表示，2019年沒有增建半導(dǎo)體工廠的計劃，將以中長期發(fā)展為主的方式擴充工廠。但下半年三星電子將隨市況靈活投資，外界普遍預(yù)期，下半年的投資金額將比上半年多。

另一方面，SK海力士計劃，減少DRAM工廠M10產(chǎn)能時，將逐步將工廠轉(zhuǎn)換為圖像傳感器的生產(chǎn)線，并推遲M15、M16等DRAM工廠的量產(chǎn)計劃。

韓國半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人士便分析，美光在臺灣的DRAM工廠規(guī)模并不大，加上韓國目前比起追求市占率，更著重在發(fā)展技術(shù)，因此這些投資計劃是否會影響明年的市場供需，仍有待觀察。