近日，美光（Micron）宣布推出旗下首款單片容量12Gb（1.5GB）的LPDDR4X低電壓內(nèi)存芯片，速度為4266Mbps，即4266MHz。

相較第一代LPDDR4X-4266內(nèi)存，第二代產(chǎn)品的功耗下降了10%，使用10nm級（10~18nm）工藝生產(chǎn)。

同時，單片提升到1.5GB后，可以為廠商部署6GB/12GB節(jié)省空間。

當然，今年7月份，三星率先發(fā)布了16Gb容量的LPDDR4X-4266內(nèi)存，同樣是基于先進的10nm級工藝。

目前，僅麒麟980可支持業(yè)內(nèi)最高的LPDDR4X-2133內(nèi)存。不過，隨著5G時代對數(shù)據(jù)吞吐要求的提高，高頻、大容量的LPDDR4X將成為主流。

資料顯示，LPDDR4X內(nèi)存是由三星等廠商率先推出的，其主要是將LPDDR4內(nèi)存中的Vddq電壓從1.1V降至0.6V，Vdd2電壓保持1.1V不變。相對于LPDDR4來說，LPDDR4X的電壓更低，有效降低了內(nèi)存能耗。