國(guó)內(nèi)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心已經(jīng)無(wú)需多言，目前國(guó)內(nèi)最薄弱的領(lǐng)域還是芯片制造，而在這方面我們又缺少尖端的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，尤其是光刻技術(shù)，這是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的核心工藝。

在2019中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)大會(huì)上，中科院微電子所的院士劉明也談到了國(guó)內(nèi)集成電路方面的一些技術(shù)基礎(chǔ)，尤其是光刻方面，指出了在光刻技術(shù)方面的進(jìn)展與不足。

根據(jù)劉明院士所說(shuō)，我國(guó)在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術(shù)等方面取得了一些研究進(jìn)展，但是總體來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)的光刻技術(shù)與國(guó)外技術(shù)差距依然有15到20年，是整個(gè)集成電路中差距最大的環(huán)節(jié)。

此前我們報(bào)道過(guò)，目前荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)已經(jīng)可以制造7nm及以下工藝，但是國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)只能做到90nm工藝級(jí)別，多數(shù)是用在低端生產(chǎn)線上，或者是面板生產(chǎn)線上，28nm及以下的工藝依然需要進(jìn)口ASML的光刻機(jī)才能解決。