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[導(dǎo)讀]10月8日消息,臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電日前透露,該公司6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn),明年年底前量產(chǎn)。 臺(tái)積電 臺(tái)積電稱,其極紫外光(EUV)微影技術(shù)之7納米強(qiáng)效版(N7+)制程已協(xié)助客戶產(chǎn)

10月8日消息,臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電日前透露,該公司6納米制程技術(shù)明年第一季度進(jìn)入試產(chǎn),明年年底前量產(chǎn)。

臺(tái)積電

臺(tái)積電稱,其極紫外光(EUV)微影技術(shù)之7納米強(qiáng)效版(N7+)制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場(chǎng)。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于該公司成功的7納米制程之上,為6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。

N7 +的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一,于2019年第二季開始量產(chǎn),在7納米制程技術(shù)(N7)量產(chǎn)超過一年時(shí)間的情況下,N7+良率與N7已相當(dāng)接近。

N7 +同時(shí)提供了整體效能的提升,N7 +的邏輯密度比N7提高了15%至20%,并同時(shí)降低了功耗。臺(tái)積電快速布建產(chǎn)能以滿足多個(gè)客戶對(duì)于N7 +的需求。

臺(tái)積電表示,EUV微影技術(shù)使公司能夠持續(xù)推動(dòng)晶片微縮,因EUV的較短波長(zhǎng)能夠更完美地解析先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電的EUV設(shè)備已達(dá)成熟生產(chǎn)的實(shí)力,EUV設(shè)備機(jī)臺(tái)也達(dá)到大量生產(chǎn)的目標(biāo),在日常運(yùn)作的輸出功率都大于250瓦。

臺(tái)積電稱,N7+的成功經(jīng)驗(yàn)是未來先進(jìn)制程技術(shù)的基石。臺(tái)積電6納米制程技術(shù)(N6)將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn),并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用,N6的邏輯密度將比N7提高18%,而N6憑借與N7完全相容的設(shè)計(jì)法則,也可大幅縮短客戶產(chǎn)品上市的時(shí)間。

臺(tái)積電成立于1987年,是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠,客戶包括蘋果、高通等。其總部位于臺(tái)灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。臺(tái)積電公司股票在臺(tái)灣證券交易所上市,股票代碼為2330,另有美國(guó)存托憑證在美國(guó)紐約證券交易所掛牌交易,股票代號(hào)為TSM。

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