臺積電今天宣布，N7+ 7nm+工藝已經(jīng)大批量供應(yīng)給客戶，這是該公司乃至全產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。

EUV光刻采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長直接降到13.5nm，研發(fā)，推動更先進(jìn)工藝。

EUV光刻技術(shù)早在20世紀(jì)80年代就已經(jīng)研發(fā)出來，最初計劃用于70nm工藝，但光刻機(jī)指標(biāo)一直達(dá)不到需求，加之成本居高不下，芯片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發(fā)新工藝。

按照臺積電的說法，他們的EUV光刻機(jī)已經(jīng)可以在日常生產(chǎn)中穩(wěn)定輸出超過250W的功率，完全可以滿足現(xiàn)在以及未來新工藝的需求。

三星7nm工藝也在引入EUV，不過進(jìn)展相比臺積電要落后很多。

臺積電表示，7nm+的量產(chǎn)速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量產(chǎn)，并且在良品率上迅速達(dá)到了已經(jīng)量產(chǎn)1年多的7nm工藝的水平。

7nm+相比于7nm在性能上可帶來15-20％的晶體管密度提升，同時改進(jìn)了功耗。

臺積電7nm+工藝已經(jīng)應(yīng)用于多家客戶的產(chǎn)品，但官方?jīng)]有給出具體名單，目前唯一可完全確認(rèn)的就是華為麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架構(gòu)也一直標(biāo)注為7nm+工藝。

接下來，臺積電將繼續(xù)奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm(N6)相當(dāng)于7nm的升級版，設(shè)計規(guī)則完全兼容，繼續(xù)采用EUV技術(shù)，晶體管密度可比7nm提升18％，預(yù)計明年第一季度試產(chǎn)，明年底量產(chǎn)。