今年9月初，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。今天紫光集團(tuán)又宣布旗下新華三公司將在自家服務(wù)器產(chǎn)品中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存，共同推動(dòng)在中國(guó)市場(chǎng)自主創(chuàng)新存儲(chǔ)芯片的研發(fā)與應(yīng)用。

紫光表示，2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)了中國(guó)首顆擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)三維閃存產(chǎn)業(yè)“零”的突破。該芯片的存儲(chǔ)容量為8GB至32GB，目前已通過(guò)企業(yè)級(jí)驗(yàn)證并進(jìn)行小規(guī)模的批量生產(chǎn)，主要應(yīng)用在U盤(pán)，SD卡，機(jī)頂盒及固態(tài)硬盤(pán)等領(lǐng)域。

此后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于不斷的自主研發(fā)和創(chuàng)新，推出了第二代具備完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，將廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)，個(gè)人電腦，服務(wù)器等領(lǐng)域。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，也是中國(guó)企業(yè)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

紫光表示，Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND閃存架構(gòu)上的一次重大創(chuàng)新，在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過(guò)芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)上的變化，Xtacking能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能擁有更高的存儲(chǔ)密度，相比傳統(tǒng)架構(gòu)，芯片面積可減少約25%。

同時(shí)，Xtacking技術(shù)還實(shí)現(xiàn)了模塊化的設(shè)計(jì)工藝，能夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生產(chǎn)周期，為NAND閃存的定制化提供了更多可能。

目前，Xtacking技術(shù)被主要應(yīng)用在長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層及更高規(guī)格的三維閃存上。

為了給行業(yè)用戶帶來(lái)更多的價(jià)值，長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)還將推出Xtacking 2.0創(chuàng)新架構(gòu)。作為升級(jí)換代技術(shù)，Xtacking 2.0將夠進(jìn)一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開(kāi)拓定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來(lái)，Xtacking 2.0技術(shù)將應(yīng)用在長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代3D NAND閃存產(chǎn)品中，會(huì)廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域，這將開(kāi)啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。