2019年智能手機(jī)的閃存容量進(jìn)一步提升，中高端手機(jī)基本上是128GB起步，高端會(huì)上512GB，個(gè)別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個(gè)趨勢(shì)下去，明年1TB容量的手機(jī)會(huì)更多，因?yàn)镾K海力士現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機(jī)廠商，堆棧層數(shù)達(dá)到了128層。

今年6月份，SK海力士全球首發(fā)128層堆棧的4D閃存，本質(zhì)上還是3D閃存，4D閃存就SK海力士自己這么叫，所謂4D是指單芯片四層架構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計(jì)、PUC(Peri. Under Cell)技術(shù)，后者是指制造閃存時(shí)先形成外圍區(qū)域再堆疊晶胞，有助于縮小芯片面積。

此外，SK海力士的128層4D閃存還實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過(guò)3600億個(gè)閃存單元，每一個(gè)可存儲(chǔ)3個(gè)比特位，為此SK海力士應(yīng)用了一系列創(chuàng)新技術(shù)，比如超同類(lèi)垂直蝕刻技術(shù)、高可靠性多層薄膜單元成型技術(shù)、超快低功耗電路技術(shù)，等等。

同時(shí)，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128GB)，是業(yè)內(nèi)存儲(chǔ)密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40％。

SK海力士官方今天表示1TB容量的UFS 3.1閃存已經(jīng)出樣給手機(jī)廠商，預(yù)計(jì)明年下半年的5G手機(jī)就會(huì)用上這種大容量+超高速的UFS閃存。

從這款產(chǎn)品開(kāi)始，SK海力士也會(huì)把閃存重點(diǎn)轉(zhuǎn)向5G手機(jī)，目前中國(guó)市場(chǎng)上正在大力推動(dòng)5G，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望從中受益，畢竟5G速度更快，下載、保存的數(shù)據(jù)量也更高，對(duì)手機(jī)容量要求更高。