賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年2月10日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK^? SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET^?第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構和開關電路的效率，從而節(jié)省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平。

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日前發(fā)布的器件10 V條件下導通電阻典型值降至2.35 mΩ，超低柵極電荷僅為55 nC，C_OSS為614 pF。這些改進后的技術規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低開關、通道導通和二極管導通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)（FOM）比緊隨其后的競爭產(chǎn)品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成為典型48 V輸入，12 V輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器最高效的解決方案。

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SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換應用，如同步整流、原邊開關、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，諧振回路開關轉(zhuǎn)換器以及系統(tǒng)OR-ing功能，適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務器電源、太陽能微型逆變器、電動工具和工業(yè)設備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。

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新款MOSFET經(jīng)過100 % R_G和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

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SiR680ADP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。

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