Vishay推出高效80V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

時(shí)間：2020-02-10 16:43:34

關(guān)鍵字： MOSFET rohs uis測(cè)試

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[導(dǎo)讀]器件采用PowerPAK?SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35mW，柵極電荷為55nC，COSS為614pF

賓夕法尼亞、MALVERN—2020年2月10日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新款6.15mm x 5.15mm PowerPAK^?SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80V TrenchFET^?第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為129mW*nC，達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平。

日前發(fā)布的器件10V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至2.35mΩ，超低柵極電荷僅為55nC，COSS為614pF。這些改進(jìn)后的技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過(guò)調(diào)校最大限度降低開(kāi)關(guān)、通道導(dǎo)通和二極管導(dǎo)通功耗，從而提高能效。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)比緊隨其后的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低12.2%，比前代器件低22.5%，使其成為典型48V輸入，12V輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器最高效的解決方案。

SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如同步整流、原邊開(kāi)關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器，諧振回路開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器以及系統(tǒng)OR-ing功能，適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽(yáng)能微型逆變器、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理模塊的電池切換。

新款MOSFET經(jīng)過(guò)100%RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

SiR680ADP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。