如今，業(yè)界不斷刷新著納米芯片的記錄，這無疑將在未來計算上帶給我們更多的可能性。為此，各國科研人員不斷進(jìn)行著努力。近日，一個國際研究團(tuán)隊在報告中表示，自己在制造納米芯片方面取得了突破性進(jìn)展，或?qū)榧{米芯片的生產(chǎn)以及全球所有納米技術(shù)實驗室，帶來重大影響。

據(jù)悉，該個研究團(tuán)隊由美國紐約大學(xué)坦頓工程學(xué)院化學(xué)和生物分子工程教授Riedo帶隊，他們證明了使用加熱到攝氏100度以上的探頭的光刻技術(shù)，要優(yōu)于在二維半導(dǎo)體（例如二硫化鉬（MoS2））上制造金屬點擊的方法，成本更低，有望成為當(dāng)今電子束光刻的替代品。

該團(tuán)隊將這種新制造方法稱為熱掃描探針光刻（t-SPL），其與當(dāng)今的電子束光刻（EBL）相比具有更多的優(yōu)勢：首先，熱光刻顯改善了二維晶體管的質(zhì)量，抵消了肖特基勢壘，阻礙了金屬與二維襯底交界處的電子流動；與電子束光刻（EBL）不同，熱光刻技術(shù)使芯片設(shè)計人員能夠輕松地對二維半導(dǎo)體進(jìn)行成像，之后在需要的地方對電極進(jìn)行圖案化； 此外，熱掃描探針光刻（t-SPL）制造系統(tǒng)有望在初期節(jié)省成本；最后，通過使用平行熱探針，能夠輕松地將該熱制造方法推廣到批量的工業(yè)生產(chǎn)當(dāng)中。

Riedo博士希望t-SPL最終可以從實驗室走向工廠批量制造，為實現(xiàn)這個愿景仍需要研究人員繼續(xù)努力，快速推進(jìn)材料科學(xué)與芯片設(shè)計。有一天，這些t-SPL工具的分辨率將低于10納米，在標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境條件下以120伏電源運(yùn)行。

其實，Riedo在熱探測方面的經(jīng)驗可以追溯到十多年前，先是在IBM Research-Zurich，后來才到紐約城市大學(xué)（CUNY）研究生中心高級科學(xué)研究中心（ASRC）探索金屬納米制造的熱光刻，與該論文的共同第一作者，Xiao rui Zheng和Annalisa Calò一起工作，并擁有瑪麗居里獎學(xué)金。