多年來，半導體行業(yè)的標準存儲格局一直是DRAM內(nèi)存＋HDD機械硬盤/SSD固態(tài)硬盤，不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案，比如Intel的傲騰，就致力于消弭內(nèi)存與硬盤之間的鴻溝。

還有一種方案就是MRAM(磁阻式隨機訪問內(nèi)存)，Intel、IBM、三星、海力士、東芝、TDK等大廠和一些創(chuàng)業(yè)企業(yè)都研究了好多年?，F(xiàn)在，Intel宣布他們的MRAM已經(jīng)準備好大規(guī)模量產(chǎn)了！

MRAM存儲技術(shù)和NAND閃存類似是非易失性的，也就是斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，而寫入速度可以達到NAND閃存的數(shù)千倍，建立時間(settling time)可以達到1納秒，比目前DRAM內(nèi)存的理論限制還要好，等于綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的優(yōu)點，可以兼做內(nèi)存和硬盤。

同時很關(guān)鍵的是，它對制造工藝要求低，而且在傳統(tǒng)DRAM工藝升級越來越難的情況下，MRAM卻可以更輕松地更新，良品率也高得多，意味著成本可以得到更有效地控制。

Intel即將量產(chǎn)的MRAM就采用了很成熟的22nm FFL FinFET制造工藝，良品率居然超過了99.998％！對于一種很全新存儲技術(shù)來說相當不可思議。

至于為何不用更新的14nm，可能是MRAM目前對新工藝不敏感，也可能是Intel 14nm工藝現(xiàn)在產(chǎn)能太緊張了，騰不出手來。

按照Intel給出的技術(shù)規(guī)格，這種MRAM的每個存儲單元的面積為0.0486平方微米、容量7Mb，讀取時間0.9V電壓下4納秒、0.8V電壓下8納秒，寫入時間-40℃下也有10微秒，寫入壽命不低于一百萬。

壽命那是相當?shù)拈L，標準耐受溫度范圍-40℃到125℃，而Intel工程師強調(diào)，即便放置在200℃高溫下數(shù)據(jù)完整性也能保持10年之久。

不過，MRAM具體什么時間投入規(guī)模量產(chǎn)，用于何種產(chǎn)品之上，Intel尚未給出更詳細的說明。