近日，JEDEC（固態(tài)存儲協會）正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。

如果匹配高端智能機常見的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數據；要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

固態(tài)協會認為，LPDDR5有望對下一代便攜電子設備（手機、平板）的性能產生巨大提升，為了實現這一改進，標準對LPDDR5體系結構進行了重新設計，轉向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結構。

同時，還引入了數據復制（Data-Copy）和寫X（Write-X）兩個減少數據傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗，前者可以將單個陣腳的數據直接復制到其它針腳，后者則減少了SoC和RAM傳遞數據時的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈路ECC糾錯，信號電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。

事實上，去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內首款LPDDR5-6400內存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb（1GB），去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內存計劃2020年商用。