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[導讀]1、中芯國際與美國高通公司合作推進中國28納米晶圓制造2014年7月,國內規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際與美國高通公司共同宣布,中芯國際將與美國高通公司的子公司(美國高通技術公司)在28納米工

1、中芯國際與美國高通公司合作推進中國28納米晶圓制造

2014年7月,國內規(guī)模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際與美國高通公司共同宣布,中芯國際將與美國高通公司的子公司(美國高通技術公司)在28納米工藝制程和晶圓制造服務方面緊密合作,在中國制造高通驍龍?zhí)幚砥?。美國高通技術公司是全球最大的無晶圓廠半導體供應商之一和全球3G、4G及下一代無線技術的領軍企業(yè),其驍龍?zhí)幚砥鲗橐苿咏K端而設計。該合作將會提升中芯國際28納米制程的成熟度及產能,也使其成為中國本土率先為美國高通技術公司部分最新的驍龍?zhí)幚砥魈峁?8納米多晶硅和28納米高介電常數金屬閘極工藝制程產品的半導體代工企業(yè)之一。

中芯國際與美國高通公司合作推進中國28納米<strong>晶圓制造</strong>

21ic編輯視點:高通與中芯國際的合作,一方面暗示高通正計劃為未來需求提高產能。高通是臺積電的主要客戶,2012年臺積電28納米生產技術慢于預期,影響了對包括高通和英偉達在內客戶的芯片供應。另一方面,高通此舉亦可緩和改善與中國政府的關系。中國反壟斷監(jiān)管機構指責高通收費過高,并濫用其市場地位,高通可能將面臨逾10億美元的罰款。最后,高通的技術援助或許能重振中國半導體業(yè)。

 

2、NI與Nokia合作進行新一代5G系統(tǒng)開發(fā)

美商國家儀器(NI)宣布將與諾基亞(Nokia)的網路事業(yè)合作,攜手研究進階的5G無線技術,其中包含10Gbit/s以上的峰值資料速率,和100Mbit/s以上的基地臺邊緣速率。Nokia研究與技術副總Lauri Oksanen表示,Nokia實驗性質的5G概念驗證系統(tǒng),采用了NI的LabVIEW和PXI基頻模組,這是目前最先進的實驗系統(tǒng)之一,有助于快速制作5G無線介面原型。Nokia采用NI的整合式硬體和軟體基頻平臺,希望能藉此加快研究速度,盡快證明高頻率毫米波能否做為5G無線電存取技術。

NI與Nokia合作進行新一代5G系統(tǒng)開發(fā)

21ic編輯視點:5G技術,無線容量將比2010年高出1000倍,提供服務所需能源將節(jié)約90%,平均服務創(chuàng)建周期將從90小時縮小到90分鐘,擁有為70億人服務的能力。歐盟早在兩年前就已經開始了5G技術的研究項目。最近,5G似乎逐漸進入人們的視野。不論華為中興,國內外的電信供應商們都熱衷于5G技術的研發(fā)。

 

3、NAND Flash進入10納米時代

不同于系統(tǒng)半導體、NAND Flash已展開10納米時代,DRAM卻無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光技術,有利DRAM的先進制程轉換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產單價,導致存儲器業(yè)者態(tài)度并不積極。日前業(yè)界傳出消息,指出DRAM制程短期內恐停滯在20納米的可能性很高。由25納米轉進20納米時,追加設備投資的負擔不大,但10納米代的制程建設,沒有追加相當的預算無法完成。

NAND Flash進入10納米時代

21ic編輯視點:由于三星、SK海力士等領先企業(yè)優(yōu)先投資系統(tǒng)半導體、NAND Flash制程轉換,NAND Flash已經進入10納米時代。系統(tǒng)半導體與NAND Flash技術的快速進展,也影響業(yè)者的策略。 NAND Flash進入16納米制程已近在眼前,系統(tǒng)半導體也受益于鰭式場效晶體管技術,讓14~16納米先進制程得以應用。

 

4、愛立信“歸來”:PK高通聯(lián)發(fā)科勝算幾何?

在近日召開的亞洲移動通信博覽會上,愛立信借中國移動展臺展出了五模LTE芯片M7450。愛立信此次推出的屬于modem芯片,同時支持載波聚合、VoLTE和IMS。modem市場的玩家基本就高通、海思、聯(lián)發(fā)科和三星等,而三星只在本國銷售的產品上使用自己的modem芯片,即便強大如英特爾在收購英飛凌后至今也未推出成熟的方案。但是愛立信的壓力也不小。例如在modem領域,高通和海思也推出了五模多頻modem芯片,而愛立信的芯片還不支持多載波聚合的Cat6,在性能上略低一籌。此外,愛立信此次推出的是獨立的modem方案,而能夠采用modem芯片和AP獨立方案的通常只有高端手機,這限制了愛立信芯片的目標市場范圍。

愛立信歸來PK<strong>高通</strong>聯(lián)發(fā)科勝算幾何

21ic編輯視點:愛立信的這一舉措出乎人們意料,因為2012年索尼愛立信的解體,標志著愛立信已從終端領域全身而退;而一年之前意法半導體的關閉,畫外音就是愛立信的手機芯片并不成功。之后,愛立信在終端芯片領域幾乎銷聲匿跡。此次愛立信借M7450殺了個回馬槍,面對激烈的競爭,愛立信能否左右突擊,殺出重圍,目前來看還存在諸多變數。

 

5、物聯(lián)網安全漏洞LED燈泡被入侵

英國資安研究公司ContextInformationSecurity發(fā)布聲明警告所有物聯(lián)網相關公司表示,由LIFX公司所生產,支持無線連網的LED燈泡存在著安全風險。這些由新創(chuàng)科技公司LIFX生產的LED燈泡,采用802.15.46LoWPAN網絡,讓燈泡可以在連接Wi-Fi后透過手機App連結進行遙控。只要監(jiān)聽網絡封包,即可透過這些燈泡發(fā)現(xiàn)加密的網絡設定訊息?;旧?,要了解所使用的加密方式,Context公司必須將兩個微控系統(tǒng)單元(TI及STM,均為Cortex-M3)與JTAG測試用連接埠連線,一但連結上之后,就可以讀取加密演算法、金鑰和無線網狀網絡協(xié)定。這些資料將讓公司或企業(yè)可以置入網絡封包,而這些動作將不會被偵測到。

物聯(lián)網安全漏洞LED燈泡被入侵

21ic編輯視點:物聯(lián)網對終端用戶規(guī)劃了諸多的美好福利,但同時也呈現(xiàn)出很嚴肅的安全與數據隱私挑戰(zhàn)。很明顯,在這股物聯(lián)網浪潮中,諸多需要網絡連線的設備在安全性的要求上并沒有到達它們該有的優(yōu)先等級。 有些安全漏洞可能存在于產品設計的根基中。雖然目前看起來有許多物聯(lián)網公司都存在這樣的問題,但相信隨著這些問題的一一暴露,物聯(lián)網的安全系數會達到我們的預期。[!--empirenews.page--]

 

6、IBM矢志于2020年實現(xiàn)CNT電晶體

由于國際半導體技術藍圖(ITRS)要求必須在2019年達到5nm節(jié)點,因此,IBM公司設定的目標是在2020年以前實現(xiàn)碳奈米管電晶體(CNT)。IBM最近制作出具有多達10,000個 CNT 的電路。根據該設計的模擬作業(yè)預測,其性能可較矽晶更快5倍。根據IBM表示,目前還必須克服幾項障礙,才能符合2020年的最后期限,其中最重要的是分離金屬奈米管中的半導體,但這個問題從二十多年前起就一直無法解決。IBM致力于達到2020年最后期限的目標,但也坦承必須克服所有的主要障礙,才能使計劃持續(xù)至2020年以后。屆時,其他如自旋電子學等目前還不夠成熟的技術,也可望超越碳奈米管的研究。

IBM矢志于2020年實現(xiàn)CNT電晶體

21ic編輯視點:時至今日,最小的矽電晶體已經達到原子極限了。為了進展到下一個矽晶世代,除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外,業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進一步縮小的挑戰(zhàn)。如果IBM或其他廠商能夠實現(xiàn)最佳化的1.4nm電晶體通道,那么摩爾定律就能再持續(xù)向前進展;否則的話,業(yè)界就得再發(fā)展出一種全新的模式。

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