三星在今年搶了不少風頭，最新推出的Galaxy S6搭載了自家的Exynos 7420處理器，這款處理器是全球首款采用14nm FinFET工藝的移動處理器，不管是性能還是功耗都完勝市面上其他使用20nm FinFET工藝制程的處理器。憑借 14 nm FinFET 工藝，三星已經從臺積電手中吸引和搶奪了像蘋果和高通這樣的大客戶。在14nm工藝節(jié)點上，三星是當之無愧的winner。

早在2012年的時候，業(yè)界不少聲音指出，摩爾定律已經失效，14nm將會是半導體工藝極限。然而現在14nm不是極限，卻恰恰是新工藝的開始。三星、臺積電、Intel、IBM等半導體巨頭關于10nm、7nm的生產已經提上日程，在半導體行業(yè)，誰搶先掌握了最先進的制造工藝，誰就可以呼風喚雨，而在技術日益復雜、摩爾定律幾近失效的今天，先進工藝的重要性就愈發(fā)凸顯，因此半導體巨頭，尤其是有直接競爭關系的臺積電和三星將會掀起一場沒有硝煙的大戰(zhàn)。

反擊!臺積電計劃2016年投產10 nm

錯過了14nm的先機，流失了不少訂單，臺積電并不悲觀，正如三星跳過20nm直接進入14nm生產工藝，近日有媒體報道稱臺積電將跳過14nm直接進入10nm生產工藝，臺積電計劃將于年底啟動10nm生產工藝的試生產，批量生產將于2016年底開始。不僅是10nm,臺積電連同7nm的規(guī)劃也一起發(fā)布了，將在2018年開始投產7nm芯片。臺積電的野心不小，不過發(fā)布這樣的消息絕不會僅僅是和三星較勁，這是一場嚴肅的戰(zhàn)爭，錯過了14nm，再錯過10nm會給臺積電帶來巨大的損失。當然兩虎相爭必有一傷，這時候拼的就是速度了!

有備無患，三星 10nm 也要領先臺積電?

三星于去年年底量產14nmFinFET芯片，在14nm嘗到甜頭后，三星自然不會把下一代芯片工藝的頭把交椅拱手讓出，應對臺積電在10nm領域的規(guī)劃，三星也積極調整生產工藝日程計劃，從而防止客戶流失轉而投入臺積電的10nm芯片。三星沒有提及7nm方面的計劃，但對10nm工藝制程，貌似已有了充分的準備，根據最新的消息，三星已經將10nm FinFET工藝正式加入產品路線圖，并且已經完成10nm工藝的設計、研發(fā)工作。三星旗下電子制造部門Samsung Foundry表示，三星10nm FinFET工藝將正式進入商用階段，采用10nm工藝的電子產品在2016年就可以與大家見面，從這一時間點來看，比臺積電的10nm早了不少，這回三星打算要要徹底逆襲。

Intel跳票接著跳票 難道甘于落后

Intel原計劃在2016年第二季度推出首個基于10nm工藝的Cannonlake，但根據最新消息，新工藝很不幸地跳票到了第四季度，推遲了至少半年。這些年來，Intel一直堅持Tick-Tock發(fā)展模式，新工藝、新架構每年交替到來，但是在14nm上碰了個大釘子。按照Intel原來的規(guī)劃，14nm工藝應該很輕松完成，2013年底或2014年初就能登場，結果因為工藝缺陷一拖再拖，直到2014年下半年才登場，而且是拖拖拉拉，最初只有超低功耗版本的Core M系列，然后是低功耗的U系列，進入2015年中了才算鋪開，桌面上更是剛推出僅僅兩款K版本應付了事。

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如果按照早些年的規(guī)劃，10nm 今年年底就該上場了，結果再次遭遇不幸，看來和14nm當初的境遇差不多。不少網友調侃，如果AMD今年推出14nm,Intel明年就能推出7nm。intel 14nm、10nm的跳票或許是因為缺少了強大的對手吧。

不過三星、臺積電明年都要開始量產10nm了， 一直引領先進制造工藝的Intel難道真的甘于落后嗎?據悉，英特爾已開始對 7nm 和 5nm 制程技術的研究。7nm之后Intel很可能將會放棄傳統(tǒng)的硅芯片工藝，而引入新的材料作為替代品。今年 2 月份的 ISSCC 國際固態(tài)電路研討會上，英特爾的高級研究人員 Mark Bohr 也談到，英特爾無需借助極紫外線光刻(EUV)這種高深的制造技術也能實現 7nm 制程工藝，并且計劃于 2018 年推出，這個時間與臺積電的計劃時間相當。

藍色巨人IBM展示7nm工藝處理器

現在14nm芯片還處于非常新鮮的階段，而IBM已經把工藝做到7nm，這無疑讓業(yè)界為之一震。IBM半導體科技研究部副總裁Mukesh Khare表示，這款測試芯片首度在7nm晶體管內加入一種叫做“硅鍺”(SiGe)的材料，替代原有的純硅，并采用了極紫外光(Extreme Ultraviolet，EUV)微影技術。相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時因為能容納更多的晶體管(200億+)，效能也會提升50%，從而制造出世界上最強大的芯片。

遺憾的是，IBM并沒有提供7納米工藝實現量產的時間，只是表示2017年就能在實驗室里真正完成研發(fā)。有不少網友對IBM率先量產7nm持懷疑態(tài)度，他們認為Intel、臺積電更有可能率先量產7nm?？紤]到硅鍺材料的價格，以及EUV技術的高成本，這并不符合芯片普及的一個重要條件——經濟性，Intel方面正在研發(fā)無需EUV技術的7nm工藝。

從現在看來，10nm工藝是能夠實現的，7nm也有了技術的支持，Intel、臺積電雖然都說了正在研發(fā)7nm,但對于具體產品材料和技術都守口如瓶，這都是未來5年內被證實的事情，還是讓時間慢慢揭曉吧。業(yè)界普遍認為，5nm則是現有半導體工藝的物理極限，但也許在不久的將來，5nm也可能會成為歷史，未來一切皆有可能。而現在最關鍵的是各大巨頭應盡快實現10nm和7nm量產，率先俘獲客戶和消費者，以獲取下一代半導體工藝革命的資本船票。