IEEE ISSCC始于1953年，每年一屆，是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(SSCS)主辦的旗艦半導(dǎo)體集成電路國際學(xué)術(shù)峰會，也是世界上規(guī)模最大、最權(quán)威、水平最高的固態(tài)電路國際會議，被稱為集成電路行業(yè)的芯片奧林匹克大會。由于 ISSCC 峰會在國際學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界受到極大關(guān)注，ISSCC 執(zhí)行委員會每年都組織在國際范圍的發(fā)布和介紹活動。今年是ISSCC第12次到中國進(jìn)行這一國際著名峰會的正式發(fā)布會。

峰會錄用和發(fā)布了全球頂尖大學(xué)及企業(yè)最新和具研發(fā)趨勢最領(lǐng)先指標(biāo)的芯片成果，歷屆都有遍及世界各地的數(shù)千名學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界人士參加。各個時期國際上最尖端的固態(tài)集成電路技術(shù)通常首先在該峰會上發(fā)表。

根據(jù)ISSCC統(tǒng)計，在歷年來來自各國學(xué)者的投稿中顯示，投稿文章多數(shù)來自于大學(xué)、研究所或相關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)。按照地域劃分，近年來歐洲地區(qū)投稿逐漸下降，而亞洲地區(qū)投稿有所增加。伴隨著近年來，我國不斷鼓勵集成電路的發(fā)展，來自我國的投稿比例也在逐漸上升。在2018年投向ISSCC的稿件中，不止是我國香港、澳門、臺灣地區(qū)有投稿外，大陸也有文章入選其中。2018 ISSCC中我國各地區(qū)共計投稿數(shù)量達(dá)14篇，其中5篇得以入選。

(各地域投稿所占比例)

(稿件來源所占比例)

(2018 ISSCC我國有5篇文章入選)

伴隨著近些年來物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，帶動了集成電路的發(fā)展。使得智能傳感器、可穿戴、通信網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域?qū)τ谛酒男枨罅吭黾?，而對于信息的獲取、傳輸、存儲、處理、應(yīng)用及執(zhí)行則對芯片的功能提出了更多的要求。

據(jù)21IC小編了解，在2018年ISSCC上將展示國際集成電路在模擬電路、電源管理、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)字電路及系統(tǒng)、存儲器、 圖像, MEMS, 醫(yī)療和顯示 、有線通訊、射頻和無線通訊和前瞻技術(shù)領(lǐng)域各熱點(diǎn)方向的最新技術(shù)、產(chǎn)業(yè)進(jìn)展及其設(shè)計最新發(fā)展趨勢。

就存儲器市場而言，存儲器應(yīng)用廣泛、市場龐大，是國家的戰(zhàn)略性高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。目前存儲器技術(shù)發(fā)展正面臨多元化的新機(jī)遇。存儲器分為易失性和非易失性兩大類。當(dāng)今，易失性存儲器最重要的兩類是SRAM和DRAM。非易失性存儲器的種類很多，市場份額最大的是閃存(FLASH)，其他的還有SONOS、鐵電存儲器(FRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁存儲器(MRAM)和阻變存儲器(RRAM)等。此外，SRAM、DRAM、FLASH、SONOS和FRAM這五種是基于電荷的存儲器，這類存儲器本質(zhì)上是通過電容的充放電來實(shí)現(xiàn)的。另外，新興的PRAM、MRAM和RRAM則是基于電阻的轉(zhuǎn)變來實(shí)現(xiàn)的，也是眾多企業(yè)和學(xué)者關(guān)注的方向。

現(xiàn)場，除了主辦方對于2018 ISSCC前瞻介紹外，還介紹了即將參與評選的文章中的亮點(diǎn)，以及經(jīng)典文章的引用。在這其中我們也看到了來自世界各地的學(xué)者的目光都聚焦在行業(yè)中哪些技術(shù)上。

本次只是ISSCC對于2018年即將舉行的峰會進(jìn)行的一次小小的劇透，如果您有興趣，就快來參加2018年2月11日-2月15日在美國加州三藩市舉行的第65屆 ISSCC 峰會(ISSCC 2018)吧。